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J-GLOBAL ID：202002248489656946   整理番号：20A0453141

等価ポテンシャル法に基づくゲート接続FPを持つAlGaN/GaN HEMTのポテンシャルと電場分布の解析モデル【JST・京大機械翻訳】

Analytical model for the potential and electric field distributions of AlGaN/GaN HEMTs with gate-connected FP based on Equivalent Potential Method

著者 (16件)： Liu Jianhua (College of Electronic and Optical Engineering and College of Microelectronics, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, 210023, China) ,  Liu Jianhua (National and Local Joint Engineering Laboratory of RF Integration and Micro-Assembly Technology, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, 210023, China) ,  Guo Yufeng (College of Electronic and Optical Engineering and College of Microelectronics, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, 210023, China) ,  Guo Yufeng (National and Local Joint Engineering Laboratory of RF Integration and Micro-Assembly Technology, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, 210023, China) ,  Zhang Jun (College of Electronic and Optical Engineering and College of Microelectronics, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, 210023, China) ,  Zhang Jun (National and Local Joint Engineering Laboratory of RF Integration and Micro-Assembly Technology, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, 210023, China) ,  Yao Jiafei (College of Electronic and Optical Engineering and College of Microelectronics, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, 210023, China) ,  Yao Jiafei (National and Local Joint Engineering Laboratory of RF Integration and Micro-Assembly Technology, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, 210023, China) ,  Huang Xiaoming (College of Electronic and Optical Engineering and College of Microelectronics, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, 210023, China) ,  Huang Xiaoming (National and Local Joint Engineering Laboratory of RF Integration and Micro-Assembly Technology, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, 210023, China) ,  Huang Chenyang (College of Electronic and Optical Engineering and College of Microelectronics, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, 210023, China) ,  Huang Chenyang (National and Local Joint Engineering Laboratory of RF Integration and Micro-Assembly Technology, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, 210023, China) ,  Huang Zhi (College of Electronic and Optical Engineering and College of Microelectronics, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, 210023, China) ,  Huang Zhi (National and Local Joint Engineering Laboratory of RF Integration and Micro-Assembly Technology, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, 210023, China) ,  Yang Kemeng (College of Electronic and Optical Engineering and College of Microelectronics, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, 210023, China) ,  Yang Kemeng (National and Local Joint Engineering Laboratory of RF Integration and Micro-Assembly Technology, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, 210023, China)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 138  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,新しい物理に基づくモデリングアプローチ,等価ポテンシャル法(EPM)を初めて提案し,AlGaN/GaN HEMTのモデリング進展を単純化した。EPMは,空乏領域における電荷が不動態化表面層におけるポテンシャルと等価であることを示した。これにより,空乏領域は中立と見なすことができ,従って,非常に少ないモデリング複雑性をもたらす固有Poisson方程式以外のLaplace方程式を用いることにより解析することができる。特に,対応する反復計算は,種々の電荷量の除去により著しく簡素化できる。EPMは,電場と電位分布を大きく正確に解くための効果的な方法を提供し,特に種々の電荷層を持つAlGaN/GaN HEMTにとって重要である。EPMを適用することにより,解析モデルは許容できる矛盾を伴う数値結果と良い一致を示した。また,提案した簡単な解析手法は,フィールドプレート設計のための効果的な指針を提供する。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 表層 ,  不動態化 ,  電位分布 ,  簡素化 ,  *HEMT ,  *解析モデル ,  電荷 ,  Laplace方程式 ,  Poisson方程式 ,  *電場
準シソーラス用語： ポテンシャル分布 ,  フィールドプレート ,  複雑性 ,  *電界分布 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： AlGaN/GaN HEMT ,  等価ポテンシャル法(EPM) ,  解析モデル ,  フィールドプレート(FP) ,  電場(電界)分布 ,  ポテンシャル分布

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (9件)： 等価 ,  ポテンシャル ,  ゲート ,  FP ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  電場分布 ,  解析モデル