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J-GLOBAL ID：202002248632108837   整理番号：20A2587513

SnO2ベースペロブスカイト太陽電池に及ぼす界面修飾の影響研究【JST・京大機械翻訳】

Effect of Interface Modification on the Performances of SnO2-based Perovskite Solar Cells

著者 (7件)： Wang Yanxiang (景徳鎮陶瓷大学,江西景徳鎮333403) ,  Gao Peiyang (景徳鎮陶瓷大学,江西景徳鎮333403) ,  Fan Xueyun (景徳鎮陶瓷大学,江西景徳鎮333403) ,  Li Jiake (景徳鎮陶瓷大学,江西景徳鎮333403) ,  Guo Pingchun (景徳鎮陶瓷大学,江西景徳鎮333403) ,  Huang Liqun (景徳鎮陶瓷大学,江西景徳鎮333403) ,  Sun Jian (景徳鎮陶瓷大学,江西景徳鎮333403)
資料名： Taoci Xuebao  (Taoci Xuebao)
巻： 41  号： 4  ページ： 500-507  発行年： 2020年 
JST資料番号： C3674A  ISSN： 1000-2278  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 電子輸送層(ETLs)として,SnO2を用いて,セチルトリメチルアンモニウムブロミド(C16H33(CH3)3NBr,CTAB)を用いて,ETLsの界面修飾を行った。CTABは充填細孔と不動態化表面欠陥の役割を果たす。それぞれ0.005mol/L,0.010mol/L,0.015mol/LCTAB溶液のドーピング濃度がデバイス効率に与える影響を研究し,異なる濃度の影響のメカニズムを検討し,SEM,AFM,PL,EIS,SEM,AFM,TG,サンプルの表面形態,相構造,および光電特性などのパラメータを,J-Vと透過率試験によって研究した。界面修飾濃度が0.010mol/Lの時、デバイスは16.90%の最適な光電変換効率(PhotoelectricConversionEfficiency,PCE)を有することが実証された。充填因子(FillFactor,FF)は74.80%,短絡電流密度(Short-circuitCurrentDensity,JSC)は20.53mA/cm2であった。開回路電圧(Open-circuitVoltage,Voc)は1.10Vであった。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  不動態化 ,  ドーピング ,  表面欠陥 ,  透過率 ,  細孔
準シソーラス用語： 表面形態 ,  開回路電圧 ,  充填率 ,  電子輸送層 ,  光電変換効率 ,  短絡電流密度 ,  光電特性 ,  *ペロブスカイト太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 合成洗剤  (YG02030L)

タイトルに関連する用語 (4件)： ペロブスカイト太陽電池 ,  界面 ,  修飾 ,  研究