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J-GLOBAL ID：202002248741911557   整理番号：20A0585721

電流駆動の磁壁論理

Current-driven magnetic domain-wall logic

著者 (17件)： LUO Zhaochu (Lab. for Mesoscopic Systems, Dep. of Materials, ETH Zurich, Zurich, CHE) ,  HRABEC Ales (Lab. for Mesoscopic Systems, Dep. of Materials, ETH Zurich, Zurich, CHE) ,  DAO Trong Phuong (Lab. for Mesoscopic Systems, Dep. of Materials, ETH Zurich, Zurich, CHE) ,  MAYR Sina (Lab. for Mesoscopic Systems, Dep. of Materials, ETH Zurich, Zurich, CHE) ,  HEYDERMAN Laura J. (Lab. for Mesoscopic Systems, Dep. of Materials, ETH Zurich, Zurich, CHE) ,  LUO Zhaochu (Paul Scherrer Inst., Villigen, CHE) ,  HRABEC Ales (Paul Scherrer Inst., Villigen, CHE) ,  DAO Trong Phuong (Paul Scherrer Inst., Villigen, CHE) ,  FINIZIO Simone (Paul Scherrer Inst., Villigen, CHE) ,  MAYR Sina (Paul Scherrer Inst., Villigen, CHE) ,  RAABE Joerg (Paul Scherrer Inst., Villigen, CHE) ,  HEYDERMAN Laura J. (Paul Scherrer Inst., Villigen, CHE) ,  HRABEC Ales (Lab. for Magnetism and Interface Physics, Dep. of Materials, ETH Zurich, Zurich, CHE) ,  DAO Trong Phuong (Lab. for Magnetism and Interface Physics, Dep. of Materials, ETH Zurich, Zurich, CHE) ,  SALA Giacomo (Lab. for Magnetism and Interface Physics, Dep. of Materials, ETH Zurich, Zurich, CHE) ,  FENG Junxiao (Lab. for Magnetism and Interface Physics, Dep. of Materials, ETH Zurich, Zurich, CHE) ,  GAMBARDELLA Pietro (Lab. for Magnetism and Interface Physics, Dep. of Materials, ETH Zurich, Zurich, CHE)
資料名： Nature (London)  (Nature (London))
巻： 579  号： 7798  ページ： 214-218  発行年： 2020年03月12日 
JST資料番号： D0193B  ISSN： 0028-0836  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピンを用いた論理アーキテクチャーは,不揮発性のデータ保持,ほぼゼロの漏れ,スケーラビリティーをもたらし,技術ロードマップを相補型金属-酸化物-半導体論理を越えたその先へと拡大する。磁壁を用いたアーキテクチャーは,磁壁の高速運動,高密度,不揮発性,フレキシブルな設計をうまく利用して,情報を処理し記憶する。しかし,そうした方式は外部磁場を使った磁壁の操作とクロッキングに依存しており,高密度の大規模チップにおける実装が制限されている。本論文では,磁壁レーストラックを使って,全て電気的に論理演算を実行しカスケード接続する方法を実証する。我々は,非共線的なスピン配列を促進する界面ジャロシンスキー-守谷相互作用によって誘起される隣接磁区間のカイラル結合を利用して,ブール論理の全ての実装において不可欠な基本構成要素である磁壁インバーターを実現した。次に我々は,再構成可能なNAND論理ゲートとNOR論理ゲートを作製し,電流に誘起された磁壁運動を用いて演算を行った。また,我々はNANDゲートをいくつかカスケード接続して,XORゲートと全加算器ゲートを作り,磁気データの電気制御と論理回路内のデバイスの相互接続を実証した。今回の研究結果は,スケーラブルな全電気的な磁気論理のための実行可能なプラットフォームを提供するとともに,メモリーインロジック応用への道を開くものである。Copyright Nature Japan KK 2020

シソーラス用語： 相互接続 ,  排他的OR回路 ,  相互作用 ,  論理演算 ,  *磁壁 ,  計算機アーキテクチャ ,  縦続接続 ,  界面 ,  スピン整列 ,  酸化物 ,  *電流 ,  論理回路 ,  外部磁場 ,  磁区 ,  半導体

分類 (2件)： 金属の電子伝導一般  (BM03031E) ,  磁区・磁化過程一般  (BM06111M)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電流駆動 ,  磁壁 ,  論理