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J-GLOBAL ID：202002248772092698   整理番号：20A1936507

グラフェンにおける超格子障壁を通る谷選択的Kleinトンネリング【JST・京大機械翻訳】

Valley-Selective Klein Tunneling through a Superlattice Barrier in Graphene

著者 (2件)： An Xing-Tao (School of Science, Hebei University of Science and Technology, Shijiazhuang, Hebei 050018, China) ,  Yao Wang (Department of Physics, University of Hong Kong, Hong Kong, China)
資料名： Physical Review Applied  (Physical Review Applied)
巻： 14  号： 1  ページ： 014039  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3691A  ISSN： 2331-7019  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン電子は2つの谷で反対の擬スピンキラリティーの一対の質量のないDirac円錐を特徴とする。Kleinトンネリングは,これらのキラル電子の興味深い能力に言及し,高および広いポテンシャル障壁を貫通する。2つの谷は文献で独立に処理され,そこでは,時間反転対称性は,通常の入射伝達も角度平均化も,任意の谷分極を有さないと判断する。ここでは,障壁によるインターバルリー散乱が説明されるとき,超格子障壁に通常入射するグラフェン電子は,完全に谷選択的Kleinトンネリング,すなわち,1つの谷における完全な透過と,他の完全な反射を経験することを示した。谷間後方散乱は超格子障壁に千鳥状の擬スピンギャップを形成し,それは擬スピンキラリティーの谷コントラストと結合して,Kleinトンネルの谷極性を決定する。角度平均伝送は,5周期障壁に対して20%の正味谷分極を持ち,20周期障壁に対して75%を超えた。著者らの知見は,グラフェンエレクトロニクスにおける谷機能を実現するための予想外の機会を指摘する。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *超格子 ,  極性 ,  コントラスト ,  散乱 ,  分極 ,  ポテンシャル障壁 ,  後方散乱 ,  電子技術 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： キラリティ ,  準スピン ,  時間反転対称性 ,  Diracコーン ,  *Kleinトンネリング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  超格子 ,  障壁 ,  谷 ,  Kleinトンネリング