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J-GLOBAL ID：202002249172189442   整理番号：20A2233894

レーザ照射によるGaP_1-xN_x合金の光ルミネセンス強度変化【JST・京大機械翻訳】

Photoluminescence intensity change of GaP_1-xN_x alloys by laser irradiation

著者 (5件)： Sultan Md. Zamil (Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Saitama 338-8570, Japan) ,  Shiroma Akinori (Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Saitama 338-8570, Japan) ,  Yagi Shuhei (Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Saitama 338-8570, Japan) ,  Takamiya Kengo (Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Saitama 338-8570, Japan) ,  Yaguchi Hiroyuki (Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Saitama 338-8570, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 10  号： 9  ページ： 095302-095302-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaP_1-xN_x合金における非放射再結合中心の発展を研究するために,光ルミネセンス(PL)強度に及ぼすレーザ照射の影響を報告した。PLマッピング測定は,非放射再結合中心として作用する欠陥がレーザ照射により永久的に発生し,PL強度の不可逆的劣化をもたらすことを確認した。リアルタイムPL測定は,強いレーザ照射が,照射時間によるPL強度におけるより大きく,より速い減少をもたらすことを明らかにした。レーザー照射によるPL強度の減衰は,低窒素濃度に対してより大きく,より速く,低窒素濃度の試料は,レーザ照射による非放射再結合中心として作用する隠れた欠陥と結合することを示した。高出力密度光励起を用いたPL測定は,照射誘起非放射欠陥の生成または増殖を評価するために有用であり,これは動作中の光電子素子の劣化を引き起こすことを示した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *合金 ,  光ポンピング ,  *光ルミネセンス ,  *レーザ照射 ,  不可逆性
準シソーラス用語： 出力密度 ,  照射時間 ,  実時間 ,  窒素濃度 ,  光電子デバイス ,  非放射再結合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： レーザ照射 ,  合金 ,  光ルミネセンス ,  強度変化