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J-GLOBAL ID:202002249212608304   整理番号:20A0125319

Gd_2CuO_4の合成,物理的および光電気化学的性質【JST・京大機械翻訳】

Synthesis, physical and photo-electrochemical properties of Gd2CuO4
著者 (6件):
資料名:
巻: 816  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ガドリニウム銅酸塩Gd_2CuO_4を硝酸塩経路によって合成し,その物理的および電気化学的性質を初めて研究した。銅酸塩をX線回折(XRD),X線光電子分光法(XPS)および走査電子顕微鏡(SEM)によって特性化した。拡散反射赤外Fourier変換(DRIFT)スペクトルは,Gd_2CuO_4の特性ピークを確認し,一方,Brunauer-Emmett-Teller(BET)測定は,20.45m~2g(-1)の比表面積を与えた。拡散反射率(DR)から1.41eVの光学ギャップを得て,遷移を直接許容した。電気伝導率は,銅の形式的原子価と相関する0.1eVの活性化エネルギーを持つ半導体挙動を示した。実際に,層状結晶格子への酸素の挿入は,混合原子価Cu3+/2+のp伝導率と小さなポーラロンホッピングによる機構伝導を誘起する。キャリア密度(1.1710~19cm-3)と平坦電位(E_fb=-0.33V_SCE)を,(キャパシタンス~-2ポテンシャル)特性から決定した。真空下で3.11eVに位置する伝導帯(-1.64V_SCE)は,Gd3+:(5d,6s)混成軌道から成り,一方,価電子帯(-0.23V_SCE/4.52eV)は,ほとんどCu2+:3D軌道から誘導された。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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セラミック・陶磁器の製造  ,  二次電池 
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