サブ20nm特徴へのEUVマルチパターン化の攻撃的スケーリングのための戦略【JST・京大機械翻訳】

Dutta Ashim; Church Jennifer; Lee Joe; O’Brien Brendan; Meli Luciana; Liu Chi Chun; Sharma Saumya; Petrillo Karen; Murray Cody; Liu Eric; Lutker-Lee Katie; Lou Qiaowei; Cole Chris; Raley Angelique; Ko Akiteru; Kal Subhadeep; Kaminsky Jake; Mosden Aelan; Zhang Henan; Hu Shan; Huli Lior; Shibata Naoki; Hetzer Dave; Hsieh Chia-Yun (Sharon)

文献

J-GLOBAL ID：202002249298651749 整理番号：20A1020878

サブ20nm特徴へのEUVマルチパターン化の攻撃的スケーリングのための戦略【JST・京大機械翻訳】

Strategies for aggressive scaling of EUV multi-patterning to sub-20 nm features

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資料名：
巻： 11323 ページ： 113230V-12 発行年： 2020年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

将来のパターン形成プロセスはリソグラフィー印刷可能性の限界に達するので,マンドレルトリムまたは収縮戦略における連続的な革新は,サブ20nmの線空間パターン形成に到達するために必要である。リソグラフィー欠陥性,マスク選択性,ラインエッジ粗さ(LER),線幅粗さ(LWR),および臨界寸法均一性(CDU)の関心の高まりは,この目標に向けて大きな課題を提示している。極端紫外(EUV)多重パターン形成方式で使用されるマンドレルの印刷を成功させるための可能性のある解決策と欠点を強調するために,著者らは様々な代替的なマンドレル戦略を比較した。この比較を通して,制御下でのアスペクト比駆動線粗さと材料選択性を保ちながら,適切なパターン移動性を維持する課題を実証した。プロセス分割により,従来のリソグラフィーとエッチトリミング戦略の限界を強調し,パターンが転写された後のCD低減の新しい方法の必要性を示唆した。これらの新しいトリミング法は,マンドレルプロファイルに負の影響を与えることなく,CD制御に柔軟性を提供し,異なる材料セットにわたるより良い同調性を実証し,下流プロセス最適化のための異なるマスクとマンドレル材料組合せの評価を可能にした。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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固体デバイス製造技術一般

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