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J-GLOBAL ID：202002249520609506   整理番号：20A1069365

パルスDCマグネトロンスパッタリング技術を用いたMOS_2nanopillの容易な成長【JST・京大機械翻訳】

Facile growth of MoS₂ nanopillars using pulsed DC magnetron sputtering technique

著者 (2件)： Srivastava Shikha (Materials Science Programme, Indian Institute of Technology Kanpur, Kanpur-208016, India) ,  Mohapatra Y. N. (Materials Science Programme, Indian Institute of Technology Kanpur, Kanpur-208016, India)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 2220  号： 1  ページ： 020086-020086-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属ジカルコゲニド(TMDC)のような半導体層状材料は,電子材料の重要なクラスとして出現した。このクラスにおける最も代表的な材料MoS_2を用いて,光起電力,センシング,TFTなどの分野を含む多くの応用における電子デバイスの性能パラメータを強化し,パルスDCマグネトロンスパッタリング技術を用いて異なる基板上に成長させたMoS_2ナノピラーを研究した。原子間力顕微鏡(AFM),走査型Electron顕微鏡(SEM)およびエネルギー分散分光(EDS)分析を用いた。ナノピラーの形態と幾何学的サイズに及ぼす成長条件の役割を観察することができた。スパッタリング条件の制御は石英基板上に自己成長したナノピラー配列をもたらした。MoS_2ナノピラーの成長に及ぼす基板粗さとスパッタリングパワーの影響の間の相関を考慮して,著者らはMoS_2のナノピラーを成長させるための直線的前進およびリソグラフィーフリー技術を見つけ出した。スパッタリング技術によるMoS_2ナノピラーの成長は,MoS_2ナノ構造ベースのデバイスに対する室温でのスケーラビリティの挑戦を解決するための道を開く。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光起電力 ,  スパッタリング ,  半導体 ,  自己啓発 ,  積層材料 ,  *パルス ,  原子間力顕微鏡 ,  ナノ構造 ,  エネルギー散逸
準シソーラス用語： ナノピラー ,  電子素子 ,  電子材料 ,  石英基板 ,  *DCマグネトロンスパッタリング ,  成長条件 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (3件)： パルス ,  DCマグネトロンスパッタリング ,  成長