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J-GLOBAL ID：202002249533877229   整理番号：20A0190116

効率的で安定な水素発生反応のための階層的二重シェルNドープ炭素@MoSe_2中空ナノボックスのMoSe_2層の厚さの調整【JST・京大機械翻訳】

Tailoring the thickness of MoSe₂ layer of the hierarchical double-shelled N-doped carbon@MoSe₂ hollow nanoboxes for efficient and stable hydrogen evolution reaction

著者 (7件)： Chen Weiheng (Key Laboratory of the Ministry of Education for Advanced Catalysis Materials, College of Chemistry and Life Sciences, Zhejiang Normal University, Jinhua, Zhejiang 321004, PR China) ,  Qiao Ru (Key Laboratory of the Ministry of Education for Advanced Catalysis Materials, College of Chemistry and Life Sciences, Zhejiang Normal University, Jinhua, Zhejiang 321004, PR China) ,  Song Changsheng (Key Laboratory of Optical Field Manipulation of Zhejiang Province, Department of Physics, Zhejiang Sci-Tech University, Hangzhou 310018, Zhejiang, PR China) ,  Zhao Leihong (Key Laboratory of the Ministry of Education for Advanced Catalysis Materials, College of Chemistry and Life Sciences, Zhejiang Normal University, Jinhua, Zhejiang 321004, PR China) ,  Jiang Zhong-Jie (Guangdong Engineering and Technology Research Center for Surface Chemistry of Energy Materials & Guangzhou Key Laboratory for Surface Chemistry of Energy Materials, New Energy Research Institute, College of Environment and Energy, South China University of Technology, Guangzhou 510006, PR...) ,  Maiyalagan Thandavarayan (Electrochemical Energy Laboratory, Department of Chemistry, SRM Institute of Science and Technology, SRM Nagar, Kattankulathur 603203, India) ,  Jiang Zhongqing (Key Laboratory of Optical Field Manipulation of Zhejiang Province, Department of Physics, Zhejiang Sci-Tech University, Hangzhou 310018, Zhejiang, PR China)
資料名： Journal of Catalysis  (Journal of Catalysis)
巻： 381  ページ： 363-373  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0480A  ISSN： 0021-9517  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水電解によるH_2の大規模生産は,効率的で最も豊富な低コスト電極触媒の欠如により制限される。ここでは,MoSe_2とN-ドープ炭素(NC)を二重シェル階層中空ナノボックスに成功裏に構築した。得られたNC@MoSe_2は,水素発生反応(HER)のための活性触媒であることを実証した。NC@MoSe_2は二次元層状遷移金属ジカルコゲニド(TMD)とNCの構造的および機能的利点を微妙に結合し,それらはH_2の進化を効率的に触媒するために非常に強化された電気化学的活性でそれらを与える顕著な相乗効果をもたらす。注目すべきことに,MoSe_2シェルの最適厚さを有するNC@MoSe_2は,61mVのかなり低い開始電位,10mAcm-2での164mV対RHEの極端に小さい過電圧,55mVdec-1の大幅に減少したTafel勾配,0.102mAcm-2のより高い交換電流密度を示した。特に,これは,小さいサイズ,全体的階層的中空構造およびMoSe_2とNC層の間の強い電子結合を有する端部終端超薄MoSe_2ナノシートからの豊富な露出活性端から主に有益である。密度汎関数理論(DFT)計算結果は,実験的観察を良く支持し,NCとMoSe_2の間の強い相乗効果を明らかにし,その結果,NCと複合化したMoSe_2に対するFermi準位周辺のキャリア密度の増加と水素吸着自由エネルギー(ΔG_H*)の減少を示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 露光 ,  電位 ,  *水素発生反応 ,  *炭素 ,  Fermi準位 ,  電極触媒 ,  *ドーピング ,  ナノシート ,  相乗作用 ,  触媒 ,  電気化学 ,  自由エネルギー ,  密度汎関数法 ,  遷移金属触媒 ,  二次元 ,  過電圧

著者キーワード (5件)： 階層的二重シェル中空ナノボックス ,  Nドープ炭素ナノボックス ,  MoSe_2 ,  水素発生反応 ,  密度汎関数理論

分類 (1件)： その他の触媒  (CB06123Z)

タイトルに関連する用語 (7件)： 水素発生反応 ,  シェル ,  ドープ ,  炭素 ,  中空 ,  ナノボックス ,  厚さ