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J-GLOBAL ID：202002249777283347   整理番号：20A0898794

エンドオン積層共役オリゴマにおける電荷移動度に及ぼすゲート電圧の影響【JST・京大機械翻訳】

Gate voltage impact on charge mobility in end-on stacked conjugated oligomers

著者 (6件)： Sun Shih-Jye (Department of Applied Physics, National University of Kaohsiung, Kaohsiung 811, Taiwan, Republic of China) ,  Mensik Miroslav ,  Toman Petr ,  Chung Cheng-Han ,  Ganzorig Chimed ,  Pfleger Jiri
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 22  号： 15  ページ： 8096-8108  発行年： 2020年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 末端オン配向を有する基板上に積層した線形共役鎖からなる活性チャネルを有する薄膜有機電界効果トランジスタにおける電荷輸送のモデルを示した。輸送は25の高分子鎖から成る箱でシミュレートされ,その中で,鎖内正孔分布の非局在化量子軌道固有状態が計算された。鎖間電荷移動を半古典的に解いた。種々の印加ゲートとソース-ドレイン電圧に対して,電荷密度と電場の完全自己無撞着分布を決定した。ゲート電圧に対する電荷移動度の依存性は単調ではないことが分かった。すなわち,ゲート電圧の増加により最初は増加するが,ゲート電圧とともに減少する。次に,高いゲート電圧に対して第二共鳴ピークの形成を見出した。ゲート電圧への移動度依存性は,活性半導体層を流れる電流が隣接鎖の隣接する繰り返し単位間の正孔移動だけでなく,鎖間繰り返し単位間のコヒーレンスの移動としても記述されるべきであることを確認した。提示したモデルは,新しい垂直アーキテクチャを持つ有機電界効果トランジスタにおける電荷輸送に対する新しい洞察を与えることもできる。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *移動度 ,  *キャリア移動度 ,  共鳴 ,  コヒーレンス ,  正孔 ,  電場 ,  *電荷移動 ,  電流 ,  薄膜 ,  *共役 ,  計算機アーキテクチャ
準シソーラス用語： 電荷輸送 ,  電荷密度 ,  有機FET ,  *ゲート電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 共役 ,  オリゴマ ,  電荷移動度 ,  ゲート電圧