単一分子トランジスタにおけるスピン分極電子の輸送における振動とCoulomb効果の相互作用【JST・京大機械翻訳】

Shkop A.D.; Bahrova O.M.; Kulinich S.I.; Krive I.V.; Krive I.V.; Krive I.V.

文献

J-GLOBAL ID：202002249898985682 整理番号：20A0064865

単一分子トランジスタにおけるスピン分極電子の輸送における振動とCoulomb効果の相互作用【JST・京大機械翻訳】

Interplay of vibration and Coulomb effects in transport of spin-polarized electrons in a single-molecule transistor

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資料名：
巻： 137 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： D0600B ISSN： 0749-6036 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

外部磁場中の単一準位振動量子ドットによる相互作用スピン分極電子のトンネル輸送を研究した。密度行列法を用いて,電流-電圧特性と単一電子トランジスタの温度に対するコンダクタンスの依存性を計算した。外部磁場におけるCoulombブロッケードのリフティングが段階的に起こることを見出した。この場合の非弾性電子トンネリングに関連するFranck-Condonステップは電子輸送における2つのZeeman分裂準位の寄与により2倍になる。Coulomb相互作用の存在下で,ステップの倍増も観測できた。強い電子-振動相互作用に対して,コンダクタンスの温度依存性は非単調で,コンダクタンス最大の異常成長はCoulomb強度と外部磁場の両方に弱く依存することを示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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磁性一般

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