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J-GLOBAL ID：202002249970498964   整理番号：20A0905278

デルタドープβ-Ga_2O_3電界効果トランジスタのエピタキシャル不動態化【JST・京大機械翻訳】

Epitaxial passivation of delta doped $¥beta$ -Ga₂O₃ field effect transistors

著者 (5件)： Joishi Chandan (Indian Institute of Technology,Department of Electrical Engineering,Bombay, Mumbai,India,400076) ,  Xia Zhanbo (The Ohio State University,Department of Electrical and Computer Engineering,Columbus,OH,USA,43210) ,  Sohel Shahadat H. (The Ohio State University,Department of Electrical and Computer Engineering,Columbus,OH,USA,43210) ,  Lodha Saurabh (Indian Institute of Technology,Department of Electrical Engineering,Bombay, Mumbai,India,400076) ,  Rajan Siddharth (The Ohio State University,Department of Materials Science and Engineering,Columbus,OH,USA,43210)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： DRC  ページ： 223-224  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート接続フィールドプレートを持つβ-Ga_2O_3電界効果トランジスタ(FET)に対するエピタキシャル不動態化の初めての実証について報告する。β-Ga_2O_3は,次世代の高出力とRFエレクトロニクスの有望な材料であり,その大きなバンドギャップ(E_g=4.5~4.9eV),高い破壊電界(8MV/cm),および高い電子速度[1][2]によって可能になった。本研究では,比較的高い移動度を維持しながら,スケール化されたデバイストポロジーを可能にするので,デルタをドープしたチャネル設計を用いた。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 位相幾何学 ,  移動度 ,  *エピタクシー ,  *電場 ,  *不動態化 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *ドーピング ,  電子技術 ,  チャネル ,  *δドーピング ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： フィールドプレート ,  高出力 ,  電子速度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 音声処理  (JE05000E) ,  符号理論  (ND02030R) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： デルタドープ ,  電界効果トランジスタ ,  エピタキシャル ,  不動態化