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J-GLOBAL ID：202002250285154763   整理番号：20A0206476

高温炭化ケイ素酸化に及ぼす蒸気圧と速度の影響【JST・京大機械翻訳】

Steam pressure and velocity effects on high temperature silicon carbide oxidation

著者 (2件)： Mouche Peter A. (Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, USA) ,  Terrani Kurt A. (Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, USA)
資料名： Journal of the American Ceramic Society  (Journal of the American Ceramic Society)
巻： 103  号： 3  ページ： 2062-2075  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0253A  ISSN： 0002-7820  CODEN： JACTAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC酸化速度に及ぼす蒸気圧,速度,および組成の影響を研究した。圧力効果を,0.25cm/sの蒸気速度で,0.1から1.4MPaまで,1200°Cで試験した。速度効果を,0.45MPa,1200°C,0.1MPa,1600°Cで,0.25から137cm/sの範囲の速度で,2つの炉で試験した。水蒸気組成は反応容器材料の変化により変化した。光学顕微鏡と電子顕微鏡,X線回折を用いて,酸化物の形態と組成を決定した。反応容器からの構造的SiCが揮発性シリカ,H_2,およびCOにより水蒸気を飽和させるとき,多孔質酸化物が観察された。酸化速度はSiC厚さの変化により計算した。水蒸気速度/後退速度は,~0.35のべき乗則関係に従い,一方,水蒸気圧力/後退速度は,~1.78のべき乗則関係に従った。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 二酸化ケイ素 ,  *炭化ケイ素 ,  酸化物 ,  光学顕微鏡 ,  *高温 ,  *酸化 ,  X線回折 ,  揮発性 ,  *蒸気圧 ,  圧力効果 ,  電子顕微鏡
準シソーラス用語： 揮発 ,  べき乗則 ,  酸化速度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： 動力学 ,  核 ,  酸化 ,  圧力 ,  SiC ,  蒸気 ,  速度 ,  揮発

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (3件)： 炭化ケイ素 ,  酸化 ,  蒸気圧