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J-GLOBAL ID：202002250563099323   整理番号：20A1792186

半導体のドパビリティと材料特性を支配する【JST・京大機械翻訳】

On the Dopability of Semiconductors and Governing Material Properties

著者 (6件)： Goyal Anuj (Colorado School of Mines, Colorado, United States) ,  Gorai Prashun (Colorado School of Mines, Colorado, United States) ,  Anand Shashwat (Northwestern University, Illinois, United States) ,  Toberer Eric S. (Colorado School of Mines, Colorado, United States) ,  Snyder G. Jeffrey (Northwestern University, Illinois, United States) ,  Stevanovic Vladan (Colorado School of Mines, Colorado, United States)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 32  号： 11  ページ： 4467-4480  発行年： 2020年 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 実用的で,半導体はドーピングする必要がある。時々,それらは,例えば熱電,透明エレクトロニクス,または電力エレクトロニクスのような応用において,ほとんど縮退したレベルにドープする必要がある。しかし,有限バンドギャップを有する多くの材料は,全て,p-またはn-型ドーピングのいずれかを可能にする強い優先性を示したが,両者はそうではなかった。本研究では,半導体ドパビリティのモデル記述を開発し,材料特性を支配する観点から設計原理を定式化した。適切に考案された(気密結合)モデルシステムに適用される半導体欠陥理論上に構築する著者らのアプローチは,固有材料特性と半導体可読性の間の解析的関係を明らかにし,絶対バンドエッジ位置のような以前に示唆された記述子の役割と不足を明らかにした。多くの古典的バイナリ半導体に対してこのモデルを検証し,大規模材料探索におけるより複雑な化学と有用性への拡張を議論した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *半導体 ,  可読性 ,  ドーピング ,  電子技術 ,  定式化 ,  パワーエレクトロニクス ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 材料特性 ,  設計原理 ,  バイナリー ,  バンド端 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (1件)： 材料特性