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J-GLOBAL ID：202002250763640608   整理番号：20A0899300

ALD蒸着膜と比較した大面積均一性,低漏れおよび高破壊電界を有する酸素組込み溶液処理高κLa_2O_3誘電体【JST・京大機械翻訳】

Oxygen incorporated solution-processed high-κ La₂O₃ dielectrics with large-area uniformity, low leakage and high breakdown field comparable with ALD deposited films

著者 (14件)： Yan Longsen (Institute for Advanced Material and Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou, 510006, China. [e-mail]) ,  He Waner ,  Liang Xiaoci ,  Liu Chuan ,  Lu Xihong ,  Luo Chunlai ,  Zhang Aihua ,  Tao Ruiqiang ,  Fan Zhen ,  Zeng Min ,  Ning Honglong ,  Zhou Guofu ,  Lu Xubing ,  Liu Junming
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 8  号： 15  ページ： 5163-5173  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低電力,無形式のエレクトロニクスは,極端に低い漏れ電流と良好な柔軟性を持つ低温で溶液処理した高κ誘電体材料を必要とし,依然として非常に挑戦的である。例えば,大きなバンドギャップ材料La_2O_3は,安定性が悪く,溶液処理ができないため,低電力エレクトロニクス応用から妨げられている。ここでは,低温(120°C)で高κLa_2O_3誘電体膜を得るために酸素を組み込んだ溶液堆積を開発した。薄膜は均一な大きな面積,高いκ値(>12),大きなバンドギャップ(>6.3eV),高い絶縁破壊電場(>7MV cm-1),およびALD蒸着膜に匹敵する優れた安定した絶縁特性を持つ非常に低い漏れ電流(10~8Acm-1)を示した。この方法は,緻密化のための前駆体溶液の化学反応と濡れ性を効率的に改善し,HfO_2とZrO_2のような他の高κ誘電材料にも適用できる。この膜はPET基板(~2.5%)の限界で圧縮歪を保持し,高利得(>90),低動作電圧(2V),低静的電力消費(~0.5nW)を示す安定有機薄膜トランジスタ(OTFT)を有するフレキシブルCMOS回路を可能にした。優れた特性は,印刷可能で柔軟な特性を持つ低電力で高性能のエレクトロニクスを一般的に進歩させるために,提示した膜と方法を可能にする。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *蒸着膜 ,  絶縁破壊 ,  低温 ,  *電場 ,  薄膜 ,  *誘電体 ,  誘電体薄膜 ,  印刷 ,  *酸素 ,  緻密化 ,  漏れ電流 ,  電子技術 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 有機薄膜トランジスタ ,  *溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (11件)： ALD ,  蒸着膜 ,  大面積 ,  均一性 ,  漏れ ,  破壊 ,  電界 ,  酸素 ,  組込み ,  溶液処理 ,  誘電体