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J-GLOBAL ID：202002250853570988   整理番号：20A0885092

高性能のuncooledInAsSbベースのPCBN中赤外光検出器【JST・京大機械翻訳】

High-performance uncooled InAsSb-based pCBn mid-infrared photodetectors

著者 (5件)： Deng Gongrong (Kunming Institute of Physics, Kunming City, Yunnan Province 650223, China) ,  Yang Wenyun (Kunming Institute of Physics, Kunming City, Yunnan Province 650223, China) ,  Gong Xiaoxia (Kunming Institute of Physics, Kunming City, Yunnan Province 650223, China) ,  Zhang Yiyun (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Zhang Yiyun (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
資料名： Infrared Physics & Technology  (Infrared Physics & Technology)
巻： 105  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0184A  ISSN： 1350-4495  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非冷却赤外光検出器は,広い応用のための低コストでコンパクトな検出システムを提供することを目的とする赤外技術にとって不可欠であり,特に中波長および長波長赤外光検出器にとって重要である。本研究では,新しいPCBNデバイス設計における化合物障壁(CB)を利用することにより,300Kの室温(RT)で動作できる約4.8μmのカットオフ波長をもつ高性能のInAs_0.91Sb_0.09バルク吸収体ベースの中間波長赤外(MWIR)光検出器を実証した。InAsSb吸収体による価電子帯のほぼ零のミスアラインメントにより,このCB設計は電子を効率的にブロックし,正孔を通過させることができ,光検出器の光応答を大きく改善する。300Kで,これらの光検出器は-450mVの動作バイアスで0.19A/cm2の暗電流密度を示した。4.3μmにおける飽和量子効率は~57.5%に達し,ピーク応答性は~2.08A/Wに達し,それは7.9×10~9cm Hz~1/2/Wの高い比検出能をもたらした。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 中波 ,  吸収体 ,  バイアス ,  *赤外線 ,  半導体 ,  量子効率 ,  波長 ,  正孔 ,  応答特性 ,  *ヒ化インジウム ,  暗電流 ,  *光検出器 ,  不整合 ,  価電子バンド ,  バナジウム化合物

著者キーワード (5件)： SbベースIII-V化合物半導体 ,  中距離IR ,  非冷却IR光検出器 ,  室温運転 ,  Electron障壁

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高性能 ,  PCBN ,  光検出器