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J-GLOBAL ID：202002250928125353   整理番号：20A2122566

8Tから15.5TまでのNb_3Snワイヤの臨界電流に及ぼす中性子照射効果【JST・京大機械翻訳】

Neutron irradiation effect on critical current of Nb₃Sn wire under 8 T to 15.5 T

著者 (2件)： Nishimura A (Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, P. R. China) ,  Nishimura A (National Institute for Fusion Science, Toki 5095292, Japan)
資料名： IOP Conference Series: Materials Science and Engineering  (IOP Conference Series: Materials Science and Engineering)
巻： 756  号： 1  ページ： 012013 (7pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5559A  ISSN： 1757-8981  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 核融合用途のための超伝導磁石は核融合反応によって生成される高速中性子によって照射され,超伝導ワイヤの超伝導特性は照射によって劇的に変化することが報告されている。ブロンズルートNb_3Snワイヤと内部スズプロセスワイヤを1.7×1023n/m2(>0.1MeV中性子)までの核分裂反応器で照射し,臨界電流の変化を15.5T超伝導磁石と可変温度インサートで測定した。ブロンズルートワイヤの4.9×1022n/m2照射は臨界電流を1.75倍増加させたが,7.9×1022n/m2照射はブロンズルートワイヤで1.03倍増加し,内部スズプロセスワイヤで0.72倍減少した。内部スズプロセスワイヤに対する1.7x1023n/m2照射は,臨界電流と臨界磁場を約16Tまで減少させた。これは,高フルエンス中性子照射がNb_3Snワイヤのこのタイプの臨界電流と臨界磁場の両方の分解を引き起こす最初の結果であった。いくつかの照射欠陥は磁束ピンニングサイトになり,ピンニング力を強化する。しかし,強い照射は超伝導相を損傷し,特性を低下させる。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 核分裂 ,  高速中性子 ,  *中性子照射 ,  超伝導 ,  超伝導磁石 ,  臨界磁場 ,  *臨界電流 ,  青銅 ,  反応器 ,  核融合 ,  *金属線 ,  磁束ピン止め ,  ピン止め ,  フルエンス
準シソーラス用語： 照射欠陥 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R) ,  超伝導材料  (BM04041W) ,  核融合装置  (BJ02083Z)

タイトルに関連する用語 (4件)： ワイヤ ,  臨界電流 ,  中性子 ,  照射効果