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J-GLOBAL ID：202002250930710055   整理番号：20A0763398

光抵抗器応用のためのカーボンナノチューブの計算モデリング【JST・京大機械翻訳】

Computational modeling of carbon nanotubes for photoresistor applications

著者 (5件)： Parvaiz M. Shunaid (Department of Physics, S. P. College Campus, Cluster University, Srinagar, Jammu&Kashmir, 190001, India) ,  Parvaiz M. Shunaid (Department of Physics, University of Kashmir, Srinagar, Jammu&Kashmir, 190006, India) ,  Shah Khurshed A. (Department of Physics, S. P. College Campus, Cluster University, Srinagar, Jammu&Kashmir, 190001, India) ,  Dar G.N. (Department of Physics, University of Kashmir, Srinagar, Jammu&Kashmir, 190006, India) ,  Misra Prabhakar (Department of Physics&Astronomy, Howard University, Washington, DC, 20059, USA)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 309  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,純粋および均一ホウ素および窒素ドープ半導体単層カーボンナノチューブにおける光抵抗特性を研究した。計算は,非平衡Green関数形式と組み合わせた密度汎関数理論に基づいている。SWCNTモデルの抵抗はフラックスレベルの増加と共に減少することが分かった。低い電極電圧では,窒素ドープモデルはより多くの光抵抗効果を示し,一方,高い電極電圧では,最も顕著な光抵抗効果がホウ素ドープモデルで見られた。本研究は,提案したSWCNTシステムの抵抗が光強度に依存し,従来のホウ素と窒素ドーピングがマニホールドによる光抵抗を増加させることを明らかにした。このモデルは将来の電子産業における広範囲の応用に有望である。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半導体 ,  単層カーボンナノチューブ ,  ドーピング ,  *カーボンナノチューブ ,  *抵抗器 ,  ホウ素 ,  マニホールド ,  電圧 ,  オプトエレクトロニクス ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： 光強度 ,  非平衡Green関数 ,  窒素ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： カーボンナノチューブ ,  光抵抗器 ,  ドーピング ,  オプトエレクトロニクス

分類 (4件)： 非晶質・液体半導体の電気伝導  (BM03042G) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 抵抗器 ,  応用 ,  カーボンナノチューブ ,  計算モデリング