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J-GLOBAL ID：202002251061699722   整理番号：20A1022251

大面積INS原子層のCVD成長とデバイス応用【JST・京大機械翻訳】

CVD growth of large-area InS atomic layers and device applications

著者 (9件)： Tu Chien-Liang (Department of Electrical Engineering, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung 80424, Taiwan. [e-mail]) ,  Lin Kuang-I ,  Pu Jiang ,  Chung Tsai-Fu ,  Hsiao Chien-Nan ,  Huang An-Ci ,  Yang Jer-Ren ,  Takenobu Taishi ,  Chen Chang-Hsiao
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 12  号： 17  ページ： 9366-9374  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)層状材料のIII族モノカルコゲニドは,それらの独特の電子性能と興味深い化学的および物理的性質のために科学者間で広く注目されている。硫化インジウム(InS)は,それが2つの明確な結晶構造を持つので,科学者から関心を集めている。しかし,高結晶性,大面積および原子的に薄膜InSの合成に関する研究はこれまで報告されていない。本論文では,原子InS結晶の化学蒸着(CVD)合成法を報告した。カルコゲン前駆体による金属酸化物の直接化学気相反応は,大型六方晶系結晶構造と原子厚InSフレークまたは膜を生成する。InS原子膜は均一で全体的な三角形InS結晶の平坦性と合体し,二分子層または三層において1cm~2の表面積と制御可能な厚さを有する。成長したままの高結晶性試料の特性を分光学的および顕微鏡的測定によって特性化した。イオン-ゲルゲートInS電界効果トランジスタ(FET)はn型輸送挙動を示し,>10~3のオン-オフ電流比と~2cm~2V~-1s-1の室温電子移動度を持つ。さらに,著者らのCVD InSは雲母から任意の基板に移すことができ,したがって,種々の2D材料は垂直積層ヘテロ構造に再集合でき,その結果,ヘテロ接合の開発とそれらの相互作用の特性と応用の探求を容易にする。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  結晶構造 ,  相互作用 ,  電流 ,  FET【トランジスタ】 ,  金属酸化物 ,  雲母 ,  酸素族元素 ,  六方晶系 ,  二次元 ,  化学蒸着 ,  前駆体 ,  薄膜成長
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  ヘテロ構造 ,  硫化インジウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 大面積 ,  INS ,  原子層 ,  CVD ,  成長 ,  応用