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J-GLOBAL ID：202002251379285229   整理番号：20A1099177

光検出器,インバータ,およびAC整流回路のためのタングステン二カルコゲン化物ナノフレーク/InGaZnO薄膜ヘテロ接合【JST・京大機械翻訳】

Tungsten Dichalcogenide Nanoflake/InGaZnO Thin-Film Heterojunction for Photodetector, Inverter, and AC Rectifier Circuits

著者 (6件)： Lee Silah (Van der Waals Materials Research Center, Department of Physics and Applied Physics, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul, 03722, South Korea) ,  Lee Han Sol (Van der Waals Materials Research Center, Department of Physics and Applied Physics, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul, 03722, South Korea) ,  Yu Sanghyuck (Van der Waals Materials Research Center, Department of Physics and Applied Physics, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul, 03722, South Korea) ,  Park Ji Hoon (Van der Waals Materials Research Center, Department of Physics and Applied Physics, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul, 03722, South Korea) ,  Bae Heesun (Van der Waals Materials Research Center, Department of Physics and Applied Physics, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul, 03722, South Korea) ,  Im Seongil (Van der Waals Materials Research Center, Department of Physics and Applied Physics, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul, 03722, South Korea)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 6  号： 5  ページ： e2000026  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヘテロ接合PNダイオードとインバータ回路を作製し,二次元WSe_2ナノフレークと非晶質InGaZnO(a-IGZO)薄膜をガラス基板上に結合させた。ヘテロ接合p-WSe_2/n-IGZOダイオードは整流特性を示し,逆バイアス下で赤色光(λ=620nm)に効果的に応答した。ヘテロ接合PNダイオードとIGZO電界効果トランジスタ(FET)の組合せは,5Vの電源電圧で約12のピーク電圧利得を示すダイオード負荷インバータをもたらす。PNダイオードとn-FETからの同じ集積は,逆バイアス電圧をPNダイオードに適用したとき,可視光検出の能力を示した。さらに,PNダイオード上での酸素プラズマ処理後に,WSe_2ナノフレークへの正孔ドーピング効果により,約5×105のオン/オフ整流比が劇的に増強されることを示した。このような改良PNダイオードは,IGZO FETと集積した交流整流回路をもたらす。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  ダイオード ,  *薄膜 ,  *光検出器 ,  FET【トランジスタ】 ,  非晶質 ,  *カルコゲン化物 ,  二次元 ,  *整流
準シソーラス用語： ガラス基板 ,  バイアス電圧 ,  逆バイアス ,  *ナノフレーク ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  酸素プラズマ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： AC整流器 ,  電界効果トランジスタ(FET) ,  ヘテロ接合pnダイオード ,  InGaZnO(IGZO) ,  インバータ ,  WSe2

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 光検出器 ,  インバータ ,  Ac ,  整流回路 ,  タングステン ,  カルコゲン化物 ,  ナノフレーク ,  ヘテロ接合