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J-GLOBAL ID：202002251397376043   整理番号：20A1133097

二次元Hubbard模型における擬ギャップ挙動の開始での電荷キャリア液滴【JST・京大機械翻訳】

Charge carrier drop at the onset of pseudogap behavior in the two-dimensional Hubbard model

著者 (4件)： Bonetti Pietro M. (Max Planck Institute for Solid State Research, D-70569 Stuttgart, Germany) ,  Mitscherling Johannes (Max Planck Institute for Solid State Research, D-70569 Stuttgart, Germany) ,  Vilardi Demetrio (Max Planck Institute for Solid State Research, D-70569 Stuttgart, Germany) ,  Metzner Walter (Max Planck Institute for Solid State Research, D-70569 Stuttgart, Germany)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 101  号： 16  ページ： 165142  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元Hubbard模型における反強磁性スピン密度波秩序は,擬ギャップ領域に入る高磁場における銅酸塩超伝導体に対する最近の輸送測定で観測された電荷キャリア密度の低下をもたらすことを示した。スピン密度波の振幅と(一般に不整合)波ベクトルを,動的平均場理論(DMFT)から得た。ゼロ温度への有限温度結果の外挿により,臨界ドーピング[数式:原文を参照]以下の広いドーピング範囲において,磁気ギャップ[数式:原文を参照]の近似的線形ドーピング依存性が得られた。磁気秩序は電子と正孔ポケットによるFermi面再構成をもたらし,電子ポケットは[数式:原文を参照]以下の制限ドーピング範囲でのみ存在する。dc電荷輸送特性を,ドーピングに依存しない現象論的散乱速度をもつDMFTから得られたくりこみバンド構造を組み合わせることにより計算した。[数式:原文を参照]以下の狭いドーピング範囲における縦伝導率とHall数の顕著な低下が得られた。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バンド構造 ,  *電荷 ,  反強磁性 ,  ベクトル ,  ドーピング ,  くりこみ ,  Fermi面 ,  *二次元 ,  磁気秩序 ,  *Hubbard模型 ,  スピン密度波 ,  超伝導体 ,  *擬ギャップ
準シソーラス用語： *電荷キャリア ,  動的平均場近似 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電子構造一般  (BM02010K) ,  磁性理論  (BM06020X)

タイトルに関連する用語 (5件)： Hubbard模型 ,  擬ギャップ ,  挙動 ,  電荷キャリア ,  液滴