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J-GLOBAL ID：202002251514744789   整理番号：20A0201213

単一ZnOナノロッドとGaN基板の間に形成されたナノスケールp-nヘテロ接合の電気的性質【JST・京大機械翻訳】

Electrical properties of nanoscale p-n heterojunctions formed between a single ZnO nanorod and GaN substrate

著者 (6件)： Tiagulskyi Stanislav (Institute of Photonics and Electronics of the Czech Academy of Sciences, Chaberska 1014/57, 182 51, Prague, Czech Republic) ,  Yatskiv Roman (Institute of Photonics and Electronics of the Czech Academy of Sciences, Chaberska 1014/57, 182 51, Prague, Czech Republic) ,  Faitova Hana (Institute of Photonics and Electronics of the Czech Academy of Sciences, Chaberska 1014/57, 182 51, Prague, Czech Republic) ,  Kucerova Sarka (Institute of Photonics and Electronics of the Czech Academy of Sciences, Chaberska 1014/57, 182 51, Prague, Czech Republic) ,  Vanis Jan (Institute of Photonics and Electronics of the Czech Academy of Sciences, Chaberska 1014/57, 182 51, Prague, Czech Republic) ,  Grym Jan (Institute of Photonics and Electronics of the Czech Academy of Sciences, Chaberska 1014/57, 182 51, Prague, Czech Republic)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 107  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 走査型電子顕微鏡におけるナノプローブを用いて,p型GaN基板上の単一垂直配向n型ZnOナノロッドにおける電子輸送を研究した。ZnOナノロッドは,単純なGaN基板と集束イオンビームによって局所的に修飾された基板の両方に化学浴堆積によって調製される。集束イオンビーム修飾基板上のヘテロ接合は整流電流-電圧特性を示したが,平面構造の特性は対称であった。ZnOナノロッド表面上の吸着/脱着過程はそれらの電気的性質に強く影響する。集束イオンビーム改質基板上に成長させたナノロッドの電子輸送は,吸着/脱着過程に敏感でないことを実証した。これは,それらの均一な核形成とより高い結晶品質に関連している。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 平面構造 ,  *電気的性質 ,  *窒化ガリウム ,  パターン形成 ,  対称性 ,  走査電子顕微鏡 ,  電流電圧特性 ,  核形成 ,  吸着 ,  整流 ,  *ナノロッド ,  集束イオンビーム ,  *ヘテロ接合
準シソーラス用語： ナノプローブ ,  *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 集束イオンビームパターニング ,  ナノスケールヘテロ接合 ,  ZnOナノロッド ,  走査電子顕微鏡におけるナノプローブ ,  電流電圧特性

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ZnOナノロッド ,  GaN ,  ナノスケール ,  P-Nヘテロ接合 ,  電気的性質