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J-GLOBAL ID:202002251560314282   整理番号:20A1863814

SRAMにおけるMBUの訂正のための低複雑性バースト誤り訂正符号【JST・京大機械翻訳】

Low Complexity Burst Error Correcting Codes to Correct MBUs in SRAMs
著者 (2件):
資料名:
号: GLSVLSI ’18  ページ: 219-224  発行年: 2018年 
JST資料番号: D0698C  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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高エネルギー放射に起因する多重ビットアップセット(MBU)は,多重セルに影響する静的ランダムアクセスメモリ(SRAM)におけるソフトエラーの最も一般的な源である。バースト誤り訂正Hamming符号は,それらが低冗長性と低復号器待ち時間を持つので,SRAMセルにおけるMBUを修正するために最も一般的に使用されている。しかし,技術スケーリングによって,影響を受けるビットの数は増加して,このように,補正できるバーストサイズを増やす必要性を必要とした。しかし,これは,それが指数的に,指数的に復号器の複雑性を増加させるので,シンドロームの数を増加させるので,問題である。本論文では,バーストサイズが増加するにつれて,復号器複雑性のはるかに優れたスケーリングを可能にするHamming符号に基づく新しいバースト誤り訂正符号を提案した。より大きなバーストサイズでは,既存の方法よりも著しく小さく高速な復号器を提供でき,手頃なコストでより高い信頼性を提供する。さらに,既存の方法と比較して,チェックビットの数の増加や非常にわずかな増加がある。新しい符号のための一般的構築と復号化方法論を提案した。提案した符号の復号器複雑性を,従来のバースト誤り訂正Hamming符号と比較して,実験結果を示し,達成可能な顕著な改善を実証した。Please refer to this article’s citation page on the publisher website for specific rights information. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
符号理論  ,  半導体集積回路 

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