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J-GLOBAL ID:202002251642506535   整理番号:20A1140382

W/BDD薄膜電極の調製とその電気化学的性能研究【JST・京大機械翻訳】

Fabrication and Electrochemical Property of W/BDD Film Electrode
著者 (5件):
資料名:
巻: 54  号:ページ: 745-750  発行年: 2020年 
JST資料番号: C2078A  ISSN: 1000-6931  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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タングステンベースホウ素ドープダイヤモンド(W/BDD)薄膜電極を化学蒸着(CVD)によって開発し,W/BDD薄膜電極の性能を走査電子顕微鏡(SEM)とRaman分光法により調べた。LiCl-KCl溶融塩中の電気化学的窓と電気化学的特性を電気化学的方法で測定した。結果は,W/BDD薄膜電極のBDD薄膜が,より良い微細構造を持つことを示した。W/BDD薄膜電極はLiCl-KCl溶融塩中の電気化学的窓が約3.5V(-2.5~1.0V,Ag/AgCl参照電極電位)であった。電解プロセスの間,酸素イオンは,W/BDD薄膜電極表面上のBDD薄膜層の炭素と反応せず,直接,酸素原子に酸化された。長時間電解は,電極表面層のモルフォロジーと構造を変化させなかった。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】
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原子力一般 
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