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J-GLOBAL ID:202002251826090001   整理番号:20A1353211

Feドープ単分子層MoS_2における増強谷Zeeman分裂【JST・京大機械翻訳】

Enhanced Valley Zeeman Splitting in Fe-Doped Monolayer MoS2
著者 (18件):
資料名:
巻: 14  号:ページ: 4636-4645  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2326A  ISSN: 1936-0851  CODEN: ANCAC3  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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「Zeeman効果」はスピン自由度(DOF)の磁気マニピュレーションのためのユニークな機会を提供する。最近,谷Zeeman分裂は,谷縮退のリフティングを参照して,液体ヘリウム温度で二次元遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)で実証されてきた。しかし,谷擬似スピンの実用化を実現するためには,谷DOFは,室温で磁場によって制御されなければならず,それは大きな課題のままである。TMDにおける磁気ドーピングはZeeman分裂を増強できる。しかし,この実験的達成は容易ではない。ここでは,CVD成長FeドープMoS_2単層における300K(g_eff=-6.4)と10K(g_eff=-11)での谷Zeeman分裂の明白な磁気操作を報告する。有効Lande g_eff因子はFeドーパント濃度を増加させることにより-20.7に調整でき,これは非ドープMoS_2に比べて約5倍の増強を示した。著者らの測定と計算は,増強された分裂とg_eff因子が,d軌道ハイブリッド化によるMoS_2と局在化磁気モーメント(Fe3d電子)のHeisenberg交換相互作用に起因することを明らかにした。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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その他の無機化合物の薄膜  ,  励起子 

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