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J-GLOBAL ID：202002251854453834   整理番号：20A1201944

NANDフラッシュメモリにおける低エネルギー陽子誘起シングルイベント効果【JST・京大機械翻訳】

Low-energy proton-induced single event effect in NAND flash memories

著者 (12件)： Peng Cong (Department of Nuclear Science and Technology, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing 210106, China) ,  Peng Cong (Key Laboratory of Nuclear Technology Application and Radiation Protection in Astronautics, Ministry of Industry and Information Technology, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing 210106, China) ,  Chen Wei (Department of Nuclear Science and Technology, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing 210106, China) ,  Chen Wei (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China) ,  Luo Yinhong (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China) ,  Zhang Fengqi (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China) ,  Tang Xiaobin (Department of Nuclear Science and Technology, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing 210106, China) ,  Tang Xiaobin (Key Laboratory of Nuclear Technology Application and Radiation Protection in Astronautics, Ministry of Industry and Information Technology, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing 210106, China) ,  Wang Zibo (Department of Nuclear Science and Technology, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing 210106, China) ,  Wang Zibo (Key Laboratory of Nuclear Technology Application and Radiation Protection in Astronautics, Ministry of Industry and Information Technology, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing 210106, China) ,  Ding Lili (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China) ,  Guo Xiaoqiang (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment)
巻： 969  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0208B  ISSN： 0168-9002  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,多重特徴サイズNANDフラッシュメモリの低エネルギー陽子誘起単一イベント効果感度を調べた。0.41MeVの陽子の下で,単一イベント効果断面積ピークが25nmと16nmのフラッシュデバイスに現れた。SRIMシミュレーションはこの現象の主な理由を明らかにした。低エネルギー陽子の直接イオン化によって引き起こされる単一イベントのアップセットは,高エネルギー陽子核反応によって引き起こされるものより数桁高い。さらに,フラッシュ装置の単一イベント効果感度に及ぼす累積線量の影響を研究した。累積線量が増加するにつれて,単一イベントアップセット断面積はかなり増加した。この現象は,プロトンと累積線量の組合せにより誘起されたしきい値電圧シフトによるものと思われる。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン化 ,  核反応 ,  シミュレーション ,  断面積 ,  *陽子 ,  多重化 ,  放射線量 ,  SEU【シングルイベント】 ,  *フラッシュメモリ
準シソーラス用語： *低エネルギー ,  *SEE【事象】 ,  高エネルギー ,  閾値電圧シフト , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： フラッシュメモリ ,  低エネルギー陽子 ,  シングルイベント効果 ,  累積線量

分類 (1件)： 素粒子・核物理実験技術一般  (BE01010F)

タイトルに関連する用語 (5件)： NANDフラッシュメモリ ,  低エネルギー ,  陽子 ,  誘起 ,  シングルイベント効果