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J-GLOBAL ID：202002252032184206   整理番号：20A1124429

超低電力応用のためのMOSFETのみのサブ1V電圧基準【JST・京大機械翻訳】

MOSFETs-only sub-1-V voltage references for ultra-low-power applications

著者 (3件)： Prasannakumar Archana (NIT Calicut, Kozhikode, India) ,  Abraham Nithin Thomas (NIT Calicut, Kozhikode, India) ,  Dhanaraj Kakkanattu Jagalchandran (NIT Calicut, Kozhikode, India)
資料名： Analog Integrated Circuits and Signal Processing  (Analog Integrated Circuits and Signal Processing)
巻： 103  号： 2  ページ： 355-365  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0439A  ISSN： 0925-1030  CODEN： AICPEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二つのサブ-1-V MOSFETのみの電圧基準設計,サブ閾値領域での動作を提案した。それらは超低電力を消費し,高温と供給電圧の独立性を示し,サブ1V電源で動作し,N井戸CMOS技術を用いた製造に適している。高い温度補償を示す554mVの公称出力電圧を提供することができる,二重閾値電圧MOSFETを有する電圧基準回路(回路-1)を提案した。シミュレーション結果は,それが[数式:原文を参照]の温度係数と2.1nWの電力消費を持つことを示した。また,773mVの高い公称出力を持つ単一閾値電圧MOSFETのみを用いたもう一つの参照回路(circuit-2)を提案した。シミュレーション結果は,それが0.073%/Vの線感度と2.4nWの電力消費を有することを示した。モンテカルロシミュレーションに基づく統計解析は,両方の回路の性能がプロセス変化によって著しく影響されないことを示した。Copyright Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高温 ,  シミュレーション ,  *電圧 ,  電力消費 ,  *MOSFET ,  温度補償 ,  温度係数
準シソーラス用語： モンテカルロシミュレーション ,  サブ閾値 ,  閾値電圧 ,  供給電圧 ,  *超低消費電力 ,  CMOS技術 ,  出力電圧 ,  基準回路 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電圧基準 ,  超低電力 ,  サブ1V ,  単一閾値電圧MOSFET ,  nウェルCMOS技術

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低電力 ,  応用 ,  MOSFET ,  サブ