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J-GLOBAL ID：202002252145400008   整理番号：20A0071601

単一分子磁石としてのヘテロ金属3d-4f錯体【JST・京大機械翻訳】

Heterometallic 3d-4f Complexes as Single-Molecule Magnets

著者 (4件)： Dey Atanu (Tata Institute of Fundamental Research Hyderabad, Gopanpally, Hyderabad-, 500107, India) ,  Acharya Joydev (Department of Chemistry, Indian Institute of Technology Kanpur, Kanpur-, 208016, India) ,  Chandrasekhar Vadapalli (Tata Institute of Fundamental Research Hyderabad, Gopanpally, Hyderabad-, 500107, India) ,  Chandrasekhar Vadapalli (Department of Chemistry, Indian Institute of Technology Kanpur, Kanpur-, 208016, India)
資料名： Chemistry. Asian Journal  (Chemistry. Asian Journal)
巻： 14  号： 24  ページ： 4433-4453  発行年： 2019年 
JST資料番号： W1856A  ISSN： 1861-4728  CODEN： CAAJBI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヘテロ金属3d-4f錯体は,特に単分子磁石(SMM)としての分子磁性において有用なように,ある程度研究されている。この興味は,主に3dと4f金属イオン間の配位子媒介超交換現象の増加の可能性のためである。このような相互作用は,好ましい基底状態スピンを複雑にすることとは別に,磁性の量子トンネリングを減少させることを助け,それらを磁化を失うためにそれらを作るSMMにおいて広く普及している。しかしながら,同じ配位子系を用いて3dと4fイオンの両方を組み立てることは挑戦的であり,3dと4f金属イオンに対する特定の配位区画を有する多部位配位子の設計を含み,一方,これらの異種金属イオンを架橋配位原子を通して互いに結合させることができる。本レビューでは,著者らの研究から主に導出された3d-4f複合体の概要を示し,文献からの重要な例に言及した。また,このような錯体の将来の設計に対する展望を提供した。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *錯体 ,  磁性 ,  相互作用 ,  複合体 ,  磁気 ,  磁化 ,  イオン ,  基底状態 ,  金属イオン
準シソーラス用語： 量子トンネル効果 ,  分子磁性 ,  *単分子磁石 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： コンパートメント配位子 ,  ヘテロ金属3d-4f錯体 ,  磁気交換 ,  磁化の量子トンネリング ,  単一分子磁石

分類 (2件)： 遷移金属錯体一般  (CE01040N) ,  分子化合物  (CE02000C)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単一分子磁石 ,  3D ,  錯体