文献

J-GLOBAL ID：202002252173344535   整理番号：20A0838900

スパッタに基づくAlNテンプレート上に成長させたAlGaN層における歪緩和の増強【JST・京大機械翻訳】

Enhanced Strain Relaxation in AlGaN Layers Grown on Sputter-Based AlN Templates

著者 (11件)： Mogami Yosuke (Quantum Optodevice Laboratory, The Institute of Physical and Chemical Research (RIKEN), 2-1 Hirosawa, Wako, Saitama, 351-0198, Japan) ,  Osawa Atsushi (SCREEN Finetech Solutions Co. Ltd., 2426-1 Mikami, Yasu, Shiga, 520-2323, Japan) ,  Ozaki Kazuto (SCREEN Finetech Solutions Co. Ltd., 2426-1 Mikami, Yasu, Shiga, 520-2323, Japan) ,  Tanioka Yukitake (SCREEN Finetech Solutions Co. Ltd., 2426-1 Mikami, Yasu, Shiga, 520-2323, Japan) ,  Maeoka Atsushi (SCREEN Finetech Solutions Co. Ltd., 2426-1 Mikami, Yasu, Shiga, 520-2323, Japan) ,  Itokazu Yuri (Quantum Optodevice Laboratory, The Institute of Physical and Chemical Research (RIKEN), 2-1 Hirosawa, Wako, Saitama, 351-0198, Japan) ,  Kuwaba Shunsuke (Quantum Optodevice Laboratory, The Institute of Physical and Chemical Research (RIKEN), 2-1 Hirosawa, Wako, Saitama, 351-0198, Japan) ,  Jo Masafumi (Quantum Optodevice Laboratory, The Institute of Physical and Chemical Research (RIKEN), 2-1 Hirosawa, Wako, Saitama, 351-0198, Japan) ,  Maeda Noritoshi (Quantum Optodevice Laboratory, The Institute of Physical and Chemical Research (RIKEN), 2-1 Hirosawa, Wako, Saitama, 351-0198, Japan) ,  Yaguchi Hiroyuki (Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, 255 Shimo-Okubo, Sakura-ku, Saitama, 338-8570, Japan) ,  Hirayama Hideki (Quantum Optodevice Laboratory, The Institute of Physical and Chemical Research (RIKEN), 2-1 Hirosawa, Wako, Saitama, 351-0198, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics  (Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 257  号： 4  ページ： e1900590  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  CODEN： PSSBBD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪は紫外線(UV)光電子デバイスの性能に重要な役割を果たす。異なるAlNテンプレート上に成長させたAlGaN層の歪状態を調べた。二つのタイプのAlNテンプレートを調製した。一つは有機金属化学蒸着(MOCVD)によってのみ成長させ,もう一つは直流(DC)スパッタリング,高温アニーリング,MOCVD成長の組合せで作製した。厚さ4μmのMOCVD AlNと1.2μmのスパッタベースのAlNの品質は,転位密度と表面形態に関してほとんど等価である。しかし,AlGaN層の歪緩和比は,4μm MOCVD AlNより1.2μmスパッタベースAlNで高く,歪状態がサファイア基板上のエピ層の全厚さに依存することを示した。さらに,室温での試料の曲率は主にAlGaN層の厚さによって支配されることが分かった。結果として,スパッタに基づくAlNテンプレートは,小さな試料湾曲を有するAlGaN層の歪緩和を強化することを可能にした。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 転位密度 ,  MOCVD ,  スパッタリング ,  高温 ,  *窒化アルミニウム ,  焼なまし ,  直流 ,  曲率 ,  紫外線
準シソーラス用語： エピタキシャル層 ,  サファイア基板 ,  表面形態 ,  光電子デバイス ,  *歪緩和 ,  *窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： AlGaN ,  AlNテンプレート ,  アニーリング ,  スパッタリング ,  歪緩和 ,  歪状態

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： スパッタ ,  AlN ,  テンプレート ,  成長 ,  AlGaN ,  歪緩和 ,  増強