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J-GLOBAL ID：202002252209763488   整理番号：20A2739019

Siイオン注入β-Ga₂O₃における点欠陥の深さ分布の低エネルギー断面陰極線ルミネセンス解析

Low-energy cross-sectional cathodoluminescence analysis of the depth distribution of point defects in Si-ion-implanted β-Ga₂O₃

著者 (6件)： Sugie Ryuichi (Toray Research Center Inc., 3-3-7, Sonoyama, Otsu, Shiga 520-8567, Japan) ,  Uchida Tomoyuki (Toray Research Center Inc., 3-3-7, Sonoyama, Otsu, Shiga 520-8567, Japan) ,  Hashimoto Ai (Toray Research Center Inc., 3-3-7, Sonoyama, Otsu, Shiga 520-8567, Japan) ,  Akahori Seishi (Toray Research Center Inc., 3-3-7, Sonoyama, Otsu, Shiga 520-8567, Japan) ,  Matsumura Koji (Toray Research Center Inc., 3-3-7, Sonoyama, Otsu, Shiga 520-8567, Japan) ,  Tanii Yoshiharu (Toray Research Center Inc., 3-3-7, Sonoyama, Otsu, Shiga 520-8567, Japan)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 13  号： 12  ページ： 126502 (4pp)  発行年： 2020年12月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1keVのビームエネルギーをもつ低エネルギー断面カソードルミネセンス(CL)をSiイオン注入β-Ga₂O₃(-201)ウエハに適用し,注入損傷と回復を調べた。半定量的CL強度深さプロファイルを,表面での非放射再結合を考慮して得た。1273Kでのアニーリング後でさえCL強度は完全に回復しなかった。このような不十分な回復はSi拡散領域で顕著であり,Siドーパントの活性化とSiの拡散は,注入によって生じたSi格子間原子やGa空孔などの点欠陥との相互作用によって強く相関していることが示唆された。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *イオン注入 ,  *酸化ガリウム ,  *点欠陥 ,  深さ分布 ,  陰極線ルミネセンス ,  再結合 ,  焼なまし ,  格子間原子 ,  空格子点
準シソーラス用語： *β-酸化ガリウム ,  非放射再結合 ,  アニーリング処理 ,  空孔【点欠陥】

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： Siイオン ,  注入 ,  点欠陥 ,  深さ分布 ,  低エネルギー ,  陰極線ルミネセンス ,  解析