文献

J-GLOBAL ID：202002252282478926   整理番号：20A0215786

パルスI-VおよびRamanナノサーモグラフィによるβ-Ga_2O_3薄チャネルMOSFETの自己加熱特性評価【JST・京大機械翻訳】

Self-Heating Characterization of $¥beta$ -Ga₂O₃ Thin-Channel MOSFETs by Pulsed ${I}$ - ${V}$ and Raman Nanothermography

著者 (20件)： Blumenschein Nicholas A. (KBR, Beavercreek, OH, USA) ,  Moule Taylor (Centre for Doctoral Training in Condensed Matter Physics, University of Bristol, Bristol, U.K.) ,  Dalcanale Stefano (Centre for Doctoral Training in Condensed Matter Physics, University of Bristol, Bristol, U.K.) ,  Mercado Elisha (Centre for Doctoral Training in Condensed Matter Physics, University of Bristol, Bristol, U.K.) ,  Singh Manikant (Centre for Doctoral Training in Condensed Matter Physics, University of Bristol, Bristol, U.K.) ,  Pomeroy James W. (Centre for Doctoral Training in Condensed Matter Physics, University of Bristol, Bristol, U.K.) ,  Kuball Martin (Centre for Doctoral Training in Condensed Matter Physics, University of Bristol, Bristol, U.K.) ,  Wagner Gunter (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Berlin, Germany) ,  Paskova Tania (Department of Electrical and Computer Engineering, North Carolina State University, Raleigh, NC, USA) ,  Muth John F. (Department of Electrical and Computer Engineering, North Carolina State University, Raleigh, NC, USA) ,  Chabak Kelson D. (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Berlin, Germany) ,  Moser Neil A. (Sensors Directorate, Air Force Research Laboratory, Wright-Patterson AFB, OH, USA) ,  Jessen Gregg H. (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Berlin, Germany) ,  Heller Eric R. (Sensors Directorate, Air Force Research Laboratory, Wright-Patterson AFB, OH, USA) ,  Miller Nicholas C. (Sensors Directorate, Air Force Research Laboratory, Wright-Patterson AFB, OH, USA) ,  Green Andrew J. (Sensors Directorate, Air Force Research Laboratory, Wright-Patterson AFB, OH, USA) ,  Popp Andreas (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Berlin, Germany) ,  Crespo Antonio (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Berlin, Germany) ,  Leedy Kevin (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Berlin, Germany) ,  Lindquist Miles (KBR, Beavercreek, OH, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 67  号： 1  ページ： 204-211  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： β-Ga_2O_3薄チャネルMOSFETをdcとパルスI-V測定の両方を用いて評価した。報告したパルスI-V技術を用いて,MOSFETチャネルにおける自己加熱効果を研究した。このデバイスを23°C~200°Cの広い温度範囲で分析した。消費電力とチャネル温度の間の関係を確立し,2.5W/mmの電力を消散させると,MOSFETチャネルが208°Cまで加熱されることが分かった。チャネルの熱抵抗は73°C-mm/Wであった。結果は実験的Ramanナノサーモグラフィーと熱シミュレーションにより支持され,パルスI-V発見と合理的に一致した。高い熱抵抗は将来のGa_2O_3デバイスにおける熱管理の最適化の重要性を支える。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： チャネル ,  熱管理 ,  キャラクタリゼーション ,  電力 ,  *パルス ,  *MOSFET ,  最適化 ,  消費電力 ,  熱抵抗
準シソーラス用語： 熱シミュレーション ,  温度範囲 ,  *自己加熱 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： パルス ,  サーモグラフィ ,  チャネル ,  MOSFET ,  自己加熱 ,  特性評価