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J-GLOBAL ID:202002252364995613   整理番号:20A2046693

受動Qスイッチファイバレーザのための高変調深さのSnSSe SA【JST・京大機械翻訳】

The SnSSe SA with high modulation depth for passively Q-switched fiber laser
著者 (8件):
資料名:
巻:号:ページ: 2549-2555  発行年: 2020年 
JST資料番号: U8087A  ISSN: 2192-8614  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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IV-VI半導体は,グラフェンに匹敵する電気的および光電子的性質のため,基礎研究および実用化において広く注目されている。ここでは,強い非線形性を有するSnSSeに基づく光変調器を,化学気相移動法により調製した。提案したSnSSe可飽和吸収体(SA)の変調深さは最大57.5%であった。SnSSe SAをレーザに組み込むことにより,547.8nsの短いQスイッチパルスを1530.07nmで達成した。知る限りでは,これはQスイッチレーザにおけるSnSSeの最初の成功した応用である。著者らの調査は,SnSSeの光学的非線形性を証明するだけでなく,超高速フォトニクスにおけるSnSSe SAの可能性を明らかにした。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
分類
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固体レーザ 
タイトルに関連する用語 (4件):
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