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J-GLOBAL ID:202002252459030145   整理番号:20A0711203

太陽光発電のための二段階銀支援湿式化学エッチングにより作製した黒色シリコンにおける広帯域反反射【JST・京大機械翻訳】

Broadband Anti-Reflection in Black Silicon Fabricated by Two-Step Silver-Assisted Wet Chemical Etching for Photovoltaics
著者 (4件):
資料名:
巻: 301  ページ: 167-174  発行年: 2020年 
JST資料番号: T0583A  ISSN: 1012-0394  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,潜在的光起電力(PV)応用のための二段階金属支援化学エッチング(MACE)により作製した黒色シリコン(b-Si)における広帯域反反射を報告した。この方法は,HF:AgNO_3の水溶液中での銀ナノ粒子(Ag NPs)の堆積,続いてのHF:H_2O_2:diH_2O溶液中での異なる持続時間(10~25s)のエッチングを含む。b-Siナノワイヤの表面形態と光学特性に対するエッチング時間の影響を調べた。表面形態特性化により,350~570nmの高さと150~300nmの直径をもつb-Siナノワイヤの存在を確認した。b-Siナノワイヤは屈折率勾配効果により顕著な広帯域反反射を示した。これは,300~1100nmの波長領域における加重平均反射(WAR)として表される。20秒のエッチングの後,570nmの高さと約200nmの幅を有するb-Siナノワイヤを製造した。ナノワイヤは5.5%のWARを示し,本研究で最低のWARを示した。これは600nmの波長で95.6%の吸収をもたらす。増強された広帯域光吸収は,最大電位短絡電流密度(J_sc_(max))を最大39.7mA/cm2,またはc-Si参照と比較して51%増強した。広帯域増強反射防止のためのこの容易なb-Si作製法は,高い光電流をもつ有望なPV素子を作製する有望な技術である。Copyright 2020 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般  ,  太陽電池 

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