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J-GLOBAL ID：202002252495518953   整理番号：20A2652180

Hirshfeld表面分析とDFT計算に基づく部分フッ素化β-ジケトナート銅(II)錯体の結晶構造と電荷分布【JST・京大機械翻訳】

Crystal structures and charge distribution of partially-fluorinated β-diketonate copper(II) complexes based on Hirshfeld surface analysis and DFT calculations

著者 (4件)： Hori Akiko (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering and Science, Shibaura Institute of Technology, Fukasaku 307, Minuma-ku, Saitama 337-8570, Japan) ,  Kobayashi Hiroyuki (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering and Science, Shibaura Institute of Technology, Fukasaku 307, Minuma-ku, Saitama 337-8570, Japan) ,  Sakamoto Genta (Department of Chemistry, School of Science, Kitasato University, Kitasato 1-15-1, Minami-ku, Sagamihara, Kanagwa 252-0373, Japan) ,  Yuge Hidetaka (Department of Chemistry, School of Science, Kitasato University, Kitasato 1-15-1, Minami-ku, Sagamihara, Kanagwa 252-0373, Japan)
資料名： Polyhedron  (Polyhedron)
巻： 192  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0301B  ISSN： 0277-5387  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2つの部分フッ素化配位錯体,C_30H_20CuF_2O_4(1)およびC_30H_18CuF_4O_4(2)を調製し,ベンゼン溶媒和物(1,C_6H_6)および2を有する対応する結晶をベンゼン-ジクロロメタン溶液から得た。結晶の結晶学的研究とHirshfeld表面分析は,Cuイオンの求電子特性とフェニル置換の間の顕著なCH...π相互作用を通して金属...π相互作用を示した。1aC_6H_6における1の結晶充填に対する最も重要な寄与は,C...H/H...C(36.8%),H...H(34.0%),およびF...H/H...F(10.4%)相互作用であるが,2に対するそれらはH...H(28.8%),F...H/H...F(22.9%)およびC...H/H...C(19.2%)からであった。結晶データから最適化した構造を用いた密度汎関数理論(DFT)計算は,フッ素置換の電子吸引効果の割合と中心金属イオンと他の芳香環への対応する効果を明確に示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *結晶構造 ,  最適化 ,  相互作用 ,  *銅 ,  *フッ素化 ,  結晶学 ,  *電荷分布 ,  *表面分析 ,  結晶充填 ,  溶媒和物 ,  フェニル基 ,  *密度汎関数法 ,  金属イオン
準シソーラス用語： 銅イオン ,  π相互作用 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 銅 ,  結晶工学 ,  静電ポテンシャル ,  フッ素化配位子 ,  超分子会合

分類 (2件)： 遷移金属元素(鉄族元素を除く)の錯体の結晶構造  (BK09030X) ,  第11族,第12族元素の錯体  (CE01050Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： 表面分析 ,  DFT計算 ,  フッ素化 ,  銅 ,  錯体 ,  結晶構造 ,  電荷分布