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J-GLOBAL ID：202002252501230240   整理番号：20A0971130

900MA/mm以上の電流密度を持つAl_0.65Ga_0.35N/Al_0.4Ga_0.6Nマイクロチャネルヘテロ接合電界効果トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Al_0.65Ga_0.35N/Al_0.4Ga_0.6N Micro-Channel Heterojunction Field Effect Transistors With Current Density Over 900 mA/mm

著者 (10件)： Xue Hao (Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA) ,  Hussain Kamal (Electrical Engineering Department, University of South Carolina, Columbia, SC, USA.) ,  Razzak Towhidur (Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA) ,  Gaevski Mikhail (Electrical Engineering Department, University of South Carolina, Columbia, SC, USA.) ,  Sohel Shahadat Hasan (Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA) ,  Mollah Shahab (Electrical Engineering Department, University of South Carolina, Columbia, SC, USA.) ,  Talesara Vishank (Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA) ,  Khan Asif (Electrical Engineering Department, University of South Carolina, Columbia, SC, USA.) ,  Rajan Siddharth (Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA) ,  Lu Wu (Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 41  号： 5  ページ： 677-680  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,増強された接触注入によって可能にされたマイクロチャネルを有するAl_0.65Ga_0.35N/Al_0.4Ga_0.6Nヘテロ接合電界効果トランジスタにおける高電流密度の実証について報告した。ゲート長100nmの素子は最大電流密度910mA/mm,最大相互コンダクタンス140mS/mmを示した。20GHzの電流利得カットオフ周波数と36GHzの最大発振周波数を得た。トランジスタの大信号負荷-プル特性化は,10GHzで2.7W/mmの出力電力密度を示した。電流密度と出力密度は,高Al組成AlGaNチャネルトランジスタの最先端性能を表す。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *トランジスタ ,  *FET【トランジスタ】 ,  *電流密度 ,  遮断周波数 ,  キャラクタリゼーション ,  相互コンダクタンス ,  *マイクロチャネル
準シソーラス用語： 出力密度 ,  ゲート長 ,  電流利得 ,  大信号 ,  出力電力 ,  最大発振周波数 ,  高電流密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電流密度 ,  マイクロチャネル ,  ヘテロ接合 ,  電界効果トランジスタ