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J-GLOBAL ID：202002252640430575   整理番号：20A1132752

結晶シリコン太陽モジュールにおける発光ダウンシフト層のためのバンドギャップ調整CuInS_2/ZnSコア/シェル量子ドット【JST・京大機械翻訳】

Bandgap-Tuned CuInS₂/ZnS Core/Shell Quantum Dots for a Luminescent Downshifting Layer in a Crystalline Silicon Solar Module

著者 (3件)： Nakamura Yuto (Department of Applied Chemistry, Faculty of Science and Technology, Keio University, Japan) ,  Iso Yoshiki (Department of Applied Chemistry, Faculty of Science and Technology, Keio University, Japan) ,  Isobe Tetsuhiko (Department of Applied Chemistry, Faculty of Science and Technology, Keio University, Japan)
資料名： ACS Applied Nano Materials  (ACS Applied Nano Materials)
巻： 3  号： 4  ページ： 3417-3426  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5033A  ISSN： 2574-0970  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近紫外(UV)光を可視光に変換し,近紫外領域にスペクトル感度を持たない単結晶シリコン(c-Si)太陽モジュールに応用するために,CuInS_2(CIS)量子ドット(QD)を発光ダウンシフト(LDS)材料として調べた。CIS/ZnSコア/シェルQDのバンドギャップは,Cu/Inのモル比を変化させることにより,太陽デバイスにおけるLDS層に対して適切な約3eVに成功裏に調整された。59.9%の絶対光ルミネセンス(PL)量子収率をもつcis/ZnS/ZnSコア/シェル/シェルQDを,熱注入法により調製し,エチレン-酢酸ビニル共重合体(EVA)樹脂に埋め込み,QD@EVA膜をLDS層として作製した。近UV励起下でのQD@EVA膜のPL強度はQD濃度の増加と共に単調に増加した。膜を市販の単一c-Si太陽モジュールに取り付けた。膜の利点と欠点を,入射光子-電子変換効率と電流-電圧曲線測定の結果に基づいて議論した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *太陽 ,  *太陽電池 ,  電圧 ,  電流 ,  *発光 ,  光ルミネセンス ,  量子収量 ,  励起 ,  *インジウム ,  *銅 ,  *硫化亜鉛 ,  可視光 ,  近紫外線 ,  *量子ドット ,  *バンドギャップ

著者キーワード (7件)： CuIn_2/ZnS ,  量子ドット ,  ナノ蛍光体 ,  光ルミネセンス ,  ナノ複合膜 ,  発光ダウンシフト層 ,  太陽モジュール

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (9件)： 結晶シリコン ,  太陽モジュール ,  ダウンシフト ,  バンド ,  ギャップ調整 ,  ZnS ,  コア ,  シェル ,  量子ドット