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J-GLOBAL ID：202002252763736905   整理番号：20A2069666

3Dおよび2Dホウ素ドープダイヤモンドにおけるMott絶縁体-金属相転移の現象論的モデル【JST・京大機械翻訳】

A Phenomenological Model of Mott’s Insulator-Metal Phase Transition in 3D and 2D Boron-Doped Diamond

著者 (2件)： Kukushkin Vladimir A. (Plasma Physics and High Power Electronics Division, Institute of Applied Physics of the Russian Academy of Science, 46 Ulyanov st., Nizhny Novgorod, 603950, Russia) ,  Kukushkin Vladimir A. (Advanced School of General and Applied Physics, Nizhny Novgorod State University named after N. I. Lobachevsky, 23 Gagarin pr., Nizhny Novgorod, 603950, Russia)
資料名： Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics  (Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 257  号： 9  ページ： e1900748  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  CODEN： PSSBBD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホウ素ドープダイヤモンドにおけるMott絶縁体-金属相転移の現象論的モデルを提案し,開発した。室温での3D試料中の遷移臨界ホウ素原子濃度は実験データと一致することを示した。それは,2Dホウ素ドープダイヤモンドの実験的にあまり研究されていないケースに対する遷移臨界シートホウ素原子濃度の評価に対するモデルの使用を可能にする。これは,いわゆるデルタ層に関する実験データと一致して,室温で3.3×1013cm-2の値を与える。後者は,固有ダイヤモンドに埋め込まれた薄いホウ素ドープ層であり,高速ダイヤモンド電界効果トランジスタの導電性チャネルの生成に使用できる。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *相転移 ,  *ダイヤモンド ,  *ホウ素 ,  FET【トランジスタ】 ,  *ドーピング ,  臨界 ,  *二次元 ,  *三次元 ,  チャネル ,  導電性 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： Mott-Hubbard絶縁体 ,  *ボロンドープダイヤモンド ,  現象論的モデル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： ダイヤモンド ,  ドープしたデルタ層 ,  絶縁体-金属相転移

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 3D ,  2D ,  ホウ素ドープダイヤモンド ,  Mott絶縁体 ,  金属相 ,  現象論的モデル