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J-GLOBAL ID：202002252832159210   整理番号：20A0622702

せん亜鉛鉱,黄銅鉱,ケステライトおよびハイブリッドペロブスカイト太陽電池材料のバンド端光吸収における非常に高い振動子強度【JST・京大機械翻訳】

Very high oscillator strength in the band-edge light absorption of zincblende, chalcopyrite, kesterite, and hybrid perovskite solar cell materials

著者 (3件)： Kato Masato (Department of Electrical, Electronic and Computer Engineering, Gifu University, 1-1 Yanagido, Gifu 501-1193, Japan) ,  Nishiwaki Mitsutoshi (Department of Electrical, Electronic and Computer Engineering, Gifu University, 1-1 Yanagido, Gifu 501-1193, Japan) ,  Fujiwara Hiroyuki (Department of Electrical, Electronic and Computer Engineering, Gifu University, 1-1 Yanagido, Gifu 501-1193, Japan)
資料名： Physical Review Materials  (Physical Review Materials)
巻： 4  号： 3  ページ： 035402  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3690A  ISSN： 2475-9953  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体太陽電池吸収体において,バンド端近くの高吸収係数(α)は光電流発生と収集を最大化するために重要である。それにもかかわらず,バンド端吸収特性の重要性にもかかわらず,バンド端光学遷移の定量的解析は行われていない。本研究では,閃亜鉛鉱,黄銅鉱,ケステライト,およびハイブリッドペロブスカイト構造を有する8つの実用的太陽電池吸収体(GaAs,InP,CdTe,[数式:原文を参照],[数式:原文を参照],[数式:原文を参照],[数式:原文を参照],および[数式:原文を参照])のバンド端発振器強度(f)に焦点を合わせて,系統的密度汎関数理論計算を実施した。全ての結晶は,高エネルギー領域のfと比較して,バンドギャップ[数式:原文を参照]領域で非常に高いfを示し,[数式:原文を参照]領域のαが高fにより著しく増強されるという事実を明らかにした。さらに,fの大きさは光学遷移に含まれる電荷分布から解釈できることを確立した。バンド端光吸収が状態の結合密度から誘導されるという一般的理解と対照的に,著者らの結果は,非常に一般的な太陽電池材料における[数式:原文を参照]近傍の絶対α値の決定におけるfの重要な役割を明らかにした。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *太陽電池 ,  吸収係数 ,  発振器 ,  *光吸収 ,  *閃亜鉛鉱 ,  光電流 ,  半導体 ,  リン化インジウム ,  吸収体 ,  電荷分布 ,  *黄銅鉱 ,  *振動子強度 ,  バンドギャップ ,  テルル化カドミウム ,  ヒ化ガリウム

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： せん亜鉛鉱 ,  黄銅鉱 ,  ケステライト ,  ペロブスカイト太陽電池 ,  バンド端 ,  光吸収 ,  振動子強度