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J-GLOBAL ID：202002252843945591   整理番号：20A0828136

サブ5nmノードSoC応用のためのシリコンナノシートFET上のソースとドレインのリセス深さ変動の包括的解析【JST・京大機械翻訳】

Comprehensive Analysis of Source and Drain Recess Depth Variations on Silicon Nanosheet FETs for Sub 5-nm Node SoC Application

著者 (4件)： Jeong Jinsu (Department of Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Pohang, South Korea) ,  Yoon Jun-Sik (Department of Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Pohang, South Korea) ,  Lee Seunghwan (Department of Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Pohang, South Korea) ,  Baek Rock-Hyun (Department of Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Pohang, South Korea)
資料名： IEEE Access  (IEEE Access)
巻： 8  ページ： 35873-35881  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2422A  ISSN： 2169-3536  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： システムオンチップ(SoC)応用のためのサブ5nmノードSiナノシート(NS)FETのDC/DC性能に対する最も重要な因子の一つとして,過剰ソースとドレイン(S/D)リセス深さ(T_SD)変化を包括的に解析した。3積層NSチャネルと寄生底トランジスタ(tr_pbt),ゲート容量(C_gg),固有スイッチング遅延時間(τ_d),および静的電力散逸(P_static)におけるオフ,オン状態電流(I_off,I_on)の変化を,T_SD変化に従って定量的に研究した。より多くのS/Dドーパントは,より深いT_SDによってtr_pbtに拡散し,そのため,tr_pbtを通して流れる電流の上昇により,I_offとI_onは増加した。特に,PFETのI_offは,NFETsと比較して,特定のT_SD(T_SD,臨界)以上で著しく増加した。さらに,T_SDを有する各チャネルのI_on寄与,臨界はトップNSチャネルにおいて最大であり,tr_pbtは無視できるI_on寄与を有した。NSチャネルの中で,上部(底部)NSチャネルは,P-/NFETsの両方に対して,そのより大きな(より小さい)キャリア密度と速度のために,最大(最小)I_on寄与を有する。また,C_ggは寄生容量の増加により深いT_SDと共に増加するが,幸いにも,τ_dは,すべてのSoC応用に対するC_ggのそれよりも,I_gのより大きな増加率のために同時に減少する。しかしながら,P_staticは深いT_SDにより著しく増加し,低電力応用はSoC応用間のT_SD変動に最も敏感である。DC/DC性能に及ぼす必然的なtr_pbt効果の包括的解析は,Si-NSFETがサブ5nmノードCMOS技術に採用できるかどうかにかかわらず,最も重要な指標の1つである。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： チャネル ,  スイッチング ,  臨界 ,  *ナノシート ,  トランジスタ ,  漂遊容量 ,  電流 ,  キャリア密度 ,  ドーパント ,  電力応用
準シソーラス用語： CMOS技術 ,  オン状態 ,  遅延時間 ,  ゲート容量 ,  *システムオンチップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 無線通信一般  (ND08010L) ,  移動通信  (ND08030H) ,  通信方式一般  (ND07010E)

タイトルに関連する用語 (10件)： サブ ,  ノード ,  SOC ,  応用 ,  シリコン ,  ナノシート ,  FET ,  ソース ,  ドレイン ,  解析