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J-GLOBAL ID：202002252898319969   整理番号：20A0130306

p-i-nペロブスカイト太陽電池のための高効率近20%のためのマイクロメータサイズのペロブスカイト粒子を誘導するトリフェニルアミンジベンゾフルベン由来のドーパントを含まない正孔輸送層【JST・京大機械翻訳】

Triphenylamine dibenzofulvene-derived dopant-free hole transporting layer induces micrometer-sized perovskite grains for highly efficient near 20% for p-i-n perovskite solar cells

著者 (6件)： Chen Yung-Chung (Department of Chemical and Materials Engineering, National Kaohsiung University of Science and Technology, 415 Jiangong Rd., Sanmin District, Kaohsiung City, 80778, Taiwan) ,  Chen Yung-Chung (Photo-Sensitive Material Advanced Research and Technology Center (Photo-SMART), National Kaohsiung University of Science and Technology, 415 Jiangong Rd., Sanmin District, Kaohsiung City, 80778, Taiwan) ,  Li Yan-Heng (Department of Chemical and Materials Engineering, National Kaohsiung University of Science and Technology, 415 Jiangong Rd., Sanmin District, Kaohsiung City, 80778, Taiwan) ,  Chung Chung-Lin (Department of Materials Engineering, Ming Chi University of Technology, 84 Gunjuan Road, Taishan, New Taipei City, 24301, Taiwan) ,  Hsu Hsiang-Lin (Department of Materials Engineering, Ming Chi University of Technology, 84 Gunjuan Road, Taishan, New Taipei City, 24301, Taiwan) ,  Chen Chih-Ping (Department of Materials Engineering, Ming Chi University of Technology, 84 Gunjuan Road, Taishan, New Taipei City, 24301, Taiwan)
資料名： Progress in Photovoltaics  (Progress in Photovoltaics)
巻： 28  号： 1  ページ： 49-59  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0463A  ISSN： 1062-7995  CODEN： PPHOED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,異なる数のMeO基(YC-1については無く,YC-2については4つ)およびp-i-nペロブスカイト太陽電池(PSC)におけるそれらの使用を特徴とする一連のトリフェニルアミンジベンゾフルベン系正孔輸送材料(HTMs)について考察した。これらのHTMsの光電子特性を調べ,HTMsとしてYC-1を組み込んだPSC素子が15.78±0.61%の電力変換効率(PCEs)を示し,類似の試験条件下で対応するPEDOT:PSSベース素子(12.80±1.31%)を上回ることを見出した。次に,構造ITO/NiO_x/YC-1/CH_3NH_3PbI_3/PC_61BM/バトクプロイン/Agを有するNiO_x由来PSCの界面改質層に対してYC-1を用いた。YC-1の存在は,ペロブスカイトのマイクロメータサイズの結晶粒の成長を促進し,結晶粒界欠陥のより低い含有量を誘導し,両方ともキャリア抽出を改善した。それにより,従来のNiO_xデバイスと比較して,PCEは17.16±0.68%から18.81±0.42%に大きく増加し,PCEは19.37%(無視できるヒステリシス)を示した。対応する素子は,アルゴン下,25°Cで1000時間以上の暗所での貯蔵後,約19%の安定化効率を示した。本研究は,高性能安定p-i-n PSCを設計するための新しいアプローチを示唆した。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： メトキシ基 ,  ヒステリシス ,  界面 ,  光電子 ,  アルゴン ,  結晶粒 ,  マイクロメータ ,  結晶粒界 ,  *ドーパント
準シソーラス用語： 暗所 ,  電力変換効率 ,  *正孔輸送 ,  *正孔輸送層 ,  *高効率 ,  *ペロブスカイト太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 二重無機/有機HTMS ,  メトキシ基 ,  p-i-nペロブスカイト太陽電池 ,  トリフェニルアミンジベンゾフルベン誘導体

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： ペロブスカイト太陽電池 ,  高効率 ,  マイクロメータ ,  サイズ ,  ペロブスカイト ,  誘導 ,  ドーパント ,  正孔輸送層