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J-GLOBAL ID:202002252994941363   整理番号:20A1198686

疎水性表面上の単一蒸気泡の成長機構の理解:核プール沸騰領域下での実験【JST・京大機械翻訳】

Understanding the growth mechanism of single vapor bubble on a hydrophobic surface: Experiments under nucleate pool boiling regime
著者 (2件):
資料名:
巻: 154  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: C0390A  ISSN: 0017-9310  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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疎水性表面上の単一気泡の成長と出発特性を飽和バルク条件下で調べた。作動流体として水を用いた核プール沸騰実験を疎水性表面の2つのセットについて行った。(1)黒色塗装ITO被覆ガラス基板,(2)2つの異なるレベルの一定熱流束条件を受けたITO被覆サファイア基板。高速カメラを用いて気泡動力学を特性化した。高速カメラと組み合わせて,IR熱画像カメラを用いて,成長する蒸気気泡の下の基板の空間-時間的温度分布を同時にマッピングした。黒色ペイント被覆ガラス基板と比較して,中間IRスペクトル範囲におけるサファイア基板の透過率は,使用したIRカメラを用いた気泡核形成サイトの温度測定の空間時間精度の信頼性を保証した。気泡成長に関する結果は,用いた基板に関係なく,気泡はほとんどゼロの待ち時間を示し,気泡離脱後に基板上に蒸気の小さな残留物を残し,次に次の気泡の核として作用することを示した。さらに,気泡成長過程は非常に遅いことが観察された。疎水性基板のIRカメラに基づく温度場は,蒸気気泡の存在が蒸気気泡の下の基板の局所温度を変化させることを明らかにした。しかし,核形成サイトの温度場は,気泡成長とその離脱によって変化せず,それは,マイクロ層が蒸気気泡の下に存在する可能性を示した。これは親水性基板上の単一蒸気気泡のミクロ層蒸発駆動成長と対照的である。これらの直接実験観察に基づいて,与えられた疎水性表面上の妥当な気泡成長機構を予測し,考察した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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相変化を伴う熱伝達 

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