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J-GLOBAL ID：202002253108916628   整理番号：20A0881303

光ポンプ-THzプローブ測定による厚さ変化を伴うSi_0.6Ge_0.4合金における点欠陥と線欠陥の定量化【JST・京大機械翻訳】

Quantification of point and line defects in Si_0.6Ge_0.4 alloys with thickness variation via optical pump-THz probe measurement

著者 (17件)： Kim Jonghoon (Department of Physics, Yonsei University, Yonsei-ro 50, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Kim Jonghoon (Atomic-scale Surface Science Research Center, Yonsei-ro 50, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Jeong Kwangsik (Department of Physics, Yonsei University, Yonsei-ro 50, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Jeong Kwangsik (Atomic-scale Surface Science Research Center, Yonsei-ro 50, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Baik Min (Department of Physics, Yonsei University, Yonsei-ro 50, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Baik Min (Atomic-scale Surface Science Research Center, Yonsei-ro 50, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Kim Dae-Kyoung (Department of Physics, Yonsei University, Yonsei-ro 50, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Kim Dae-Kyoung (Atomic-scale Surface Science Research Center, Yonsei-ro 50, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Chae Jimin (Department of Physics, Yonsei University, Yonsei-ro 50, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Chae Jimin (Atomic-scale Surface Science Research Center, Yonsei-ro 50, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Park Hanbum (Department of Physics, Yonsei University, Yonsei-ro 50, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Park Hanbum (Atomic-scale Surface Science Research Center, Yonsei-ro 50, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Hong Seok-Bo (Department of Physics, Yonsei University, Yonsei-ro 50, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Hong Seok-Bo (Atomic-scale Surface Science Research Center, Yonsei-ro 50, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Ko Dae-Hong (Department of Material Science and Engineering, Yonsei University, Seoul 120-749, Republic of Korea) ,  Cho Mann-Ho (Department of Physics, Yonsei University, Yonsei-ro 50, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Cho Mann-Ho (Atomic-scale Surface Science Research Center, Yonsei-ro 50, Seoul 03722, Republic of Korea)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 513  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非接触,非破壊法による欠陥密度の測定は,いかなる追加試料処理も行わずに,学界と産業の両方において大きな関心が持たれている。本研究では,光励起キャリアの再結合時間と光ポンプTHzプローブ法(OPTP)を用いて,Si_0.6Ge_0.4膜の点と線欠陥密度を定量化する新しい方法を提案した。種々の測定から得られたSi_0.6Ge_0.4の結晶度の変化は,OPTPにおける点および線欠陥状態の再結合時間と一致し,それぞれ107psから172psおよび3961psから870psに変化した。各試料の実際の欠陥密度を,再結合時間と比較するために,光誘起電流過渡分光法(PICTS)から抽出した。さらに,光励起キャリアの非Drude挙動を,以前の測定ツールに対応する二次元テラヘルツ時間領域分光法(2D-TDS)を用いて解析した。本研究で提案された定量法は,さらなる試料処理を必要とせずに,欠陥の迅速で正確な分析を可能にするので,学界と産業の両方に有利であると期待される。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 再結合 ,  *合金 ,  欠陥密度 ,  二次元 ,  電流 ,  プローブ ,  定量分析 ,  試料調製 ,  光ポンピング ,  結晶度 ,  *点欠陥
準シソーラス用語： テラヘルツ時間領域分光法 ,  光誘起 ,  非接触 ,  *線欠陥 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 光励起キャリア ,  再結合時間 ,  光ポンプテラヘルツプローブ ,  光誘起電流過渡分光法 ,  欠陥定量化

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： プローブ ,  厚さ ,  点欠陥 ,  線欠陥 ,  定量化