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J-GLOBAL ID：202002253212956254   整理番号：20A0063491

MOS_2/グラフェン低次元ナノ複合材料の制御可能な合成とそれらの電気的性質【JST・京大機械翻訳】

Controllable synthesis of MoS₂/graphene low-dimensional nanocomposites and their electrical properties

著者 (13件)： Long Le Ngoc (Faculty of Materials Technology, Ho Chi Minh City University of Technology, Vietnam National University Ho Chi Minh City, 268 Ly Thuong Kiet street, Ward 14, District 10, Ho Chi Minh City, Viet Nam) ,  Thi Pham Tan (Faculty of Applied Science, Ho Chi Minh City University of Technology, Vietnam National University Ho Chi Minh City, 268 Ly Thuong Kiet Street, Ward 14, District 10, Ho Chi Minh City, Viet Nam) ,  Trung Kien Pham (Faculty of Materials Technology, Ho Chi Minh City University of Technology, Vietnam National University Ho Chi Minh City, 268 Ly Thuong Kiet street, Ward 14, District 10, Ho Chi Minh City, Viet Nam) ,  Trung Pham Thanh (R&D Center, Saigon Hi-tech Park (SHTP), Ho Chi Minh City, Viet Nam) ,  Ohtani Masataka (School of Environmental Science and Engineering, Kochi University of Technology, Japan) ,  Kumabe Yoshitaka (School of Environmental Science and Engineering, Kochi University of Technology, Japan) ,  Tanaka Hirofumi (Department of Human Intelligence Systems, Graduate School of Life Science and Systems Engineering, Kyushu Institute of Technology (Kyutech), Japan) ,  Ueda Shigenori (Research Center for Advanced Measurement and Characterization, National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan) ,  Ueda Shigenori (Synchrotron X-ray Station at SPring-8, National Institute for Materials Science (NIMS), Sayo, Hyogo 679-5148, Japan) ,  Lee Hyoyoung (IBS Center for Integrated Nanostructure Physics, Department of Chemistry, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, South Korea) ,  Thang Phan Bach (Laboratory of Advanced Materials, University of Science, Vietnam National University, Ho Chi Minh City, Viet Nam) ,  Thang Phan Bach (Center for Innovative Materials and Architectures (INOMAR), Vietnam National University, Ho Chi Minh City, Viet Nam) ,  Khai Tran Van (Faculty of Materials Technology, Ho Chi Minh City University of Technology, Vietnam National University Ho Chi Minh City, 268 Ly Thuong Kiet street, Ward 14, District 10, Ho Chi Minh City, Viet Nam)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 504  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,制御可能な構造を持つMoS_2/グラフェン複合材料の合成のための新しい水熱経路を開発した。その中で,モリブデン酸アンモニウム四水和物,調製したままのグラフェン酸化物(GO),およびチオアセトアミドを出発材料として用いた。MoS_2/グラフェンの構造,成分及び形態に及ぼすMo4+-C前駆体比及び結晶時間の影響を調べた。MOS_2/グラフェン試料をXRD,FESEM,HRTEM,FTIR,Raman分光法,HAADF-STM/EDS,HXPES及び電気測定を用いて特性化した。結果は,超薄花弁(~1~10層)を有する花弁状MoS_2ナノ構造と1T-および2H-MoS_2相の共存が短時間(2h)でグラフェン表面上に合成できることを示した。結晶化条件の比較から,結晶化時間はMoS_2ナノ粒子のサイズに顕著な影響を及ぼすことが分かった。反応時間が短いほど,花弁状MoS_2ナノスケールは薄くなった。一方,Mo4+のCへの比(MOS_2/C(1:2),MoS_2/C(3:2),MoS_2/C(2.5:1),MoS_2/C(3:1))を調整することにより,「サンドイッチリンク」,「層毎」および「固定」を含む異なるMoS_2/グラフェン構造を得ることができた。これらの結果に基づいて,GO上のMoS_2ナノ粒子の可能な成長機構を提案した。興味あることに,合成したままの材料はVolt-Ampere特性を通してそのメムリスティブ挙動を示し,論理メモリ素子への応用の可能性を示唆している。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 二次元 ,  電気測定 ,  反応時間 ,  ナノ粒子 ,  *グラフェン ,  結晶 ,  ナノシート ,  ナノ構造 ,  結晶化 ,  水和物 ,  前駆体 ,  キャラクタリゼーション ,  *電気的性質 ,  記憶素子 ,  ナノ複合材料

著者キーワード (5件)： 2D材料 ,  グラフェン ,  花弁状MOS_2ナノシート ,  MOS_2/グラフェン ,  ナノコンポジット

分類 (5件)： 下水,廃水の化学的処理  (SC03050W) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  導体材料  (NA04020L) ,  二次電池  (YB04030K) ,  光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェン ,  低次元 ,  ナノ複合材料 ,  電気的性質