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J-GLOBAL ID：202002253385569418   整理番号：20A0957274

Si/SiCハイブリッドスイッチの電力損失モデルとデバイスサイジングの最適化【JST・京大機械翻訳】

Power Loss Model and Device Sizing Optimization of Si/SiC Hybrid Switches

著者 (4件)： Li Zongjian (College of Electrical and Information Engineering, Hunan University, Changsha, China) ,  Wang Jun (College of Electrical and Information Engineering, Hunan University, Changsha, China) ,  Ji Bing (School of Engineering, University of Leicester, Leicester, U.K.) ,  Shen Z. John (College of Electrical and Information Engineering, Hunan University, Changsha, China)
資料名： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 35  号： 8  ページ： 8512-8523  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 並列Si絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)とSiC金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(mosfet)のSi/SiCハイブリッドスイッチは,SiCの利点の大部分を提供するが,完全なSiC溶液と比較してはるかに低いコストである。ハイブリッドスイッチは,特定の最大接合温度を超えることなく最小のSiCチップサイズを利用しながら,最小の全電力損失を達成するために最適化できる。本論文では,全電力損失と接合温度を連続入力変数としたSi/SiCハイブリッドスイッチに対する一般化電力損失モデルを開発し,SiCデバイスサイズを最小化し,全IGBT/コケ電力損失を最適化し,最大接合温度を150°C以下に確保する方法を開発した。電力損失モデルを簡単な二重パルス試験とdc-dcバックコンバータ事例研究の両方を通して実験的に検証した。このモデルと最適化方法を用いて,最小SiCデバイスサイズを最適化電力損失と安全動作温度で得ることができた。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *最適化 ,  半導体 ,  最適化手法 ,  酸化物 ,  FET【トランジスタ】 ,  *炭化ケイ素 ,  *サイジング ,  パルス ,  事例研究 ,  IGBT
準シソーラス用語： バックコンバータ ,  *電力損失 ,  接合温度 ,  チップサイズ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  電気自動車  (QG07020B)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  SiC ,  電力損失 ,  モデル ,  サイジング ,  最適化