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J-GLOBAL ID:202002253515607932   整理番号:20A2192430

CdTe(100)およびCdTe(111)表面におけるエネルギーバンドアラインメントの原子モデリング【JST・京大機械翻訳】

Atomistic modeling of energy band alignment in CdTe(100) and CdTe(111) surfaces
著者 (5件):
資料名:
巻: 528  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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CdTe表面におけるエネルギーバンド整列の原子スケール展望は,CdTeベースの薄膜光起電力デバイス内の界面形成において主要な役割面が果たすにもかかわらず,空間的には研究されていない。表面Green関数と結合した密度汎関数理論に基づく原子論的モデリングを用いて,CdTe表面のエネルギーバンドアラインメントを計算した。CdTe(100)((1×1)およびc(2×2)再構成)およびCdTe(111)((1×1)および(2×2)再構成)ファセットは,表面緩和の有無で,電荷キャリア輸送に影響する,洞察できるバンド曲げ特性を提供した。結果は,非緩和(1×1)CdTe(100)とCdTe(111)面が表面電位の大きさを指示する表面極性で下方に価電子帯を曲げることを示した。再構成したCdTe(100)c(2×2)およびCdTe(111)(2×2)表面は,それらの再構成されていないバリアントに関して,好ましい表面電子特性をもたらした。さらに,構造的に緩和されたCdTe(111)表面は,CdTe太陽電池素子の背面への正孔電荷輸送を促進する内部エネルギーカスプポテンシャルを発達させる。本研究で計算したエネルギーバンドアラインメントは,CdTe表面がどのようにCdTeベースの薄膜光起電力応用に影響するかの詳細な理解をもたらした。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体薄膜 
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