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J-GLOBAL ID：202002253536089427   整理番号：20A0063632

水溶液から成長させた高性能インジウムジスプロシウム酸化物薄膜トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

High performance indium dysprosium oxide thin-film transistors grown from aqueous solution

著者 (8件)： Hong Liping (College of Materials Science and Engineering, Shenzhen University, Guangdong Research Center for Interfacial Engineering of Functional Materials, Shenzhen Key Laboratory of Special Functional Materials, Shenzhen 518060, China) ,  Xu Wangying (College of Materials Science and Engineering, Shenzhen University, Guangdong Research Center for Interfacial Engineering of Functional Materials, Shenzhen Key Laboratory of Special Functional Materials, Shenzhen 518060, China) ,  Liu Wenjun (College of Materials Science and Engineering, Shenzhen University, Guangdong Research Center for Interfacial Engineering of Functional Materials, Shenzhen Key Laboratory of Special Functional Materials, Shenzhen 518060, China) ,  Han Shun (College of Materials Science and Engineering, Shenzhen University, Guangdong Research Center for Interfacial Engineering of Functional Materials, Shenzhen Key Laboratory of Special Functional Materials, Shenzhen 518060, China) ,  Cao Peijiang (College of Materials Science and Engineering, Shenzhen University, Guangdong Research Center for Interfacial Engineering of Functional Materials, Shenzhen Key Laboratory of Special Functional Materials, Shenzhen 518060, China) ,  Fang Ming (College of Materials Science and Engineering, Shenzhen University, Guangdong Research Center for Interfacial Engineering of Functional Materials, Shenzhen Key Laboratory of Special Functional Materials, Shenzhen 518060, China) ,  Zhu Deliang (College of Materials Science and Engineering, Shenzhen University, Guangdong Research Center for Interfacial Engineering of Functional Materials, Shenzhen Key Laboratory of Special Functional Materials, Shenzhen 518060, China) ,  Lu Youming (College of Materials Science and Engineering, Shenzhen University, Guangdong Research Center for Interfacial Engineering of Functional Materials, Shenzhen Key Laboratory of Special Functional Materials, Shenzhen 518060, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 504  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化インジウムジスプロシウム(InDyO)薄膜トランジスタ(TFT)を水溶液処理により実証した。Dyドーピング量の変化によるInDyO膜の構造,形態,化学的,酸素欠陥,光学的および電気的性質を系統的に研究した。Dyドーピングは,酸素空格子点(V_O)の抑制により,In_2O_3デバイスのオフ電流とバイアス応力安定性を効果的に改善できることが観察された。10mol%Dyドーピングによる最適化InDyO TFTは,7.60cm~2V~1s~1のμ,高I_on/I_off>10~8,0.77V/decの小さなSS,1.78VのV_th,および優れたバイアス応力安定性を含む優れた電気特性を示した。したがって,水溶液から成長させたInDyO TFTは,環境に優しく大面積のエレクトロニクスの開発を可能にする。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気特性 ,  *水溶液 ,  最適化 ,  電子技術 ,  ドーピング ,  バイアス ,  酸化インジウム ,  電気的性質 ,  *ジスプロシウム ,  酸化物 ,  *薄膜トランジスタ
準シソーラス用語： 大面積 ,  酸素空格子点 ,  酸素欠陥 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 酸化インジウムジスプロシウム ,  薄膜トランジスタ ,  酸素欠陥 ,  水溶液 ,  高性能 ,  Biasストレス安定性

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 水溶液 ,  成長 ,  高性能 ,  インジウム ,  ジスプロシウム ,  酸化物薄膜 ,  トランジスタ