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J-GLOBAL ID：202002253602064158   整理番号：20A0476827

欠陥形成とN/Bドーピングによるエッジ終端アームチェア型グラフェンの電子特性と輸送特性の調整【JST・京大機械翻訳】

Tailoring electronic and transport properties of edge-terminated armchair graphene by defect formation and N/B doping

著者 (3件)： Baildya Nabajyoti (Department of Chemistry, University of Kalyani, Kalyani 741235, India) ,  Ghosh Narendra Nath (Department of Chemistry, University of Gour Banga, Mokdumpur 732103, India) ,  Chattopadhyay Asoke P. (Department of Chemistry, University of Kalyani, Kalyani 741235, India)
資料名： Physics Letters. A  (Physics Letters. A)
巻： 384  号： 9  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0600B  ISSN： 0375-9601  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度関数理論と非平衡Green関数法に基づく第一原理計算を,BとNのドーピングと欠陥のあるアームチェア型グラフェンナノリボン(GNR)で作られたp-n接合素子について行い,これらの系の輸送特性を調べた。ドーピングと欠陥は元のGNRに比べてバンドギャップが低いことが分かった。Nドーピングは最小バンドギャップと最高電流(0.9Vバイアスで17.18μA,-1Vバイアスで-12.82μA)をもたらした。Bドーピングは最小電流を示した。Nドープ系における広範な非局在化は,pとn部分間の強い結合を示唆し,系を高整流ダイオードにした。透過係数と投影状態密度の間の線形対応は,ロバストな負の微分抵抗効果を示唆した。ドーピングと欠陥によるそのようなp-n接合の効率の調整は,将来の適切なナノ電子デバイスの設計を示唆する。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *グラフェン ,  状態密度 ,  密度汎関数法 ,  透過率 ,  PN接合 ,  電流 ,  バンドギャップ ,  線形性 ,  *ドーピング ,  バイアス ,  ロバスト性 ,  接合
準シソーラス用語： グラフェンナノリボン ,  第一原理計算 ,  非平衡Green関数 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： グラフェンナノリボン ,  p-n接合 ,  ドーピング ,  欠陥 ,  密度汎関数理論

分類 (2件)： 気体放電  (BJ03020T) ,  プラズマ一般  (BJ02010B)

タイトルに関連する用語 (7件)： 欠陥形成 ,  ドーピング ,  エッジ ,  終端 ,  グラフェン ,  電子 ,  輸送特性