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J-GLOBAL ID：202002253683368900   整理番号：20A2442502

高性能でヒステリシスのない平面ペロブスカイト太陽電池のための強電子アクセプタ添加剤に基づくスピロ-OMeTAD【JST・京大機械翻訳】

Strong electron acceptor additive based spiro-OMeTAD for high-performance and hysteresis-less planar perovskite solar cells

著者 (10件)： Wang Shibo (Engineering Research Center of Environment-Friendly Functional Materials, Ministry of Education, Fujian Engineering Research Center of Green Functional Materials, Institute of Materials Physical Chemistry, Huaqiao University, Xiamen, 361021, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Sun Weihai ,  Zhang Mingjing ,  Yan Huiying ,  Hua Guoxin ,  Li Zhao ,  He Ruowei ,  Zeng Weidong ,  Lan Zhang ,  Wu Jihuai
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 10  号： 64  ページ： 38736-38745  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最も一般的な正孔輸送材料(HTM)として,スピロ-OMeTADはペロブスカイト太陽電池(PSC)で広く応用されている。明らかに,元のスピロ-OMeTAD膜は,劣った導電性と正孔移動度を有し,従って,高性能PSCへの応用の可能性を制限する。スピロ-OMeTADの電気特性を改善するために,PSC中のスピロ-OMeTADに強い電子受容体として2,3-ジクロロ-5,6-ジシアノ-1,4-ベンゾキノン(DDQ)を用いた。スピロ-OMeTADによるDDQの導入は,伝導率とFermiエネルギーレベルを改善するだけでなく,トラップ状態と非放射再結合も減少させ,PSCのフィルファクタ(FF)と開回路電圧(V_OC)の両方の顕著な増強を説明する。その結果,DDQドープ正孔輸送層(HTL)を有するチャンピオンPSCは,0.796のFFと1.16VのV_OCで21.16%のブースト電力変換効率(PCE)を発生する。注目すべきことに,DDQ修飾デバイスは,ヒステリシスの緩和と同様に,スーパーbデバイス安定性を示す。本研究は,高効率PSCを実現するためのHTLのドーパント工学のための容易で実行可能な戦略を提供した。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Fermi準位 ,  ドーピング ,  電気特性 ,  *ドーパント ,  導電性
準シソーラス用語： 高効率 ,  正孔輸送 ,  開回路電圧 ,  フィルファクタ ,  正孔移動度 ,  電力変換効率 ,  正孔輸送層 ,  伝導率 ,  *電子受容体 ,  *ペロブスカイト太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高性能 ,  ヒステリシス ,  ペロブスカイト太陽電池 ,  電子アクセプタ ,  添加剤