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J-GLOBAL ID：202002253766692241   整理番号：20A2215789

Au/ケイ素フタロシアニンジクロリド/p-Si/Alヘテロ接合デバイスの作製,キャリア輸送機構と光起電力特性【JST・京大機械翻訳】

Fabrication, carrier transport mechanisms and photovoltaic properties of Au/silicon phthalocyanine dichloride/p-Si/Al heterojunction device

著者 (4件)： El-Damhogi D. G. (Department of Physics and Mathematical Engineering, Faculty of Engineering, University of Port Said, Port Fuad, Egypt) ,  El-Mallah H. M. (Department of Physics and Mathematical Engineering, Faculty of Engineering, University of Port Said, Port Fuad, Egypt) ,  el-Salam Mohamed Abd (Department of Physics, Faculty of Science, University of Suez Canal, Ismailia, Egypt) ,  Elesh E. (Department of Physics, Faculty of Science, University of Port Said, Port Fuad, Egypt)
資料名： Optical and Quantum Electronics  (Optical and Quantum Electronics)
巻： 52  号： 10  ページ： 429  発行年： 2020年 
JST資料番号： A0205A  ISSN： 0306-8919  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,SiPcCl_2薄膜のキャリア輸送機構と光起電力特性を研究することを目的とする。これを達成するために,Au/ケイ素フタロシアニンジクロリド(SiPcCl_2)/p-Si/Alヘテロ接合デバイスを調製した。理想因子,mおよび逆電流I_sのようなヘテロ接合マイクロエレクトロニクスパラメータを室温で推定し,それぞれ6.77および408nAであることを見出した。作製したデバイスの直列抵抗R_sも計算した。電圧範囲に従ってSiPcCl_2/p-Siで2つの機構を推定した。結果は,有効障壁[数式:原文を参照]の高さが0.71から0.80eVまで明らかに増加することを明らかにした。さらに,Au/SiPcCl_2/p-Si/Al電池の光起電力特性を,短絡回路電流,I_sc,開回路電圧,V_oc,最大電流I_M,最大電圧,V_M,充填因子FFおよび電力変換効率,ηを,それぞれ0.59mA,0.47V,0.44mAおよび0.24V,0.40および3.7%と測定した。平坦なガラス基板上に蒸着したSiPcCl_2薄膜のトポグラフィー特性を原子間力顕微鏡を用いて調べた。Copyright Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *光起電力 ,  電圧 ,  電池 ,  電流 ,  薄膜 ,  短絡電流 ,  原子間力顕微鏡
準シソーラス用語： *キャリア輸送 ,  直列抵抗 ,  ガラス基板 ,  開回路電圧 ,  電力変換効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： フタロシアニン誘導体 ,  Au/(SiPcCl_2)/(p-Si)/Alヘテロ接合デバイス ,  伝導機構

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (8件)： Au ,  ケイ素 ,  Si ,  Al ,  ヘテロ接合 ,  作製 ,  キャリア輸送 ,  光起電力