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J-GLOBAL ID：202002253771009890   整理番号：20A0335524

Janusコケにおける増強された電子-フォノン散乱【JST・京大機械翻訳】

Enhanced electron-phonon scattering in Janus MoSSe

著者 (4件)： Guo Rong (School of Physical Science and Technology, Inner Mongolia University, Hohhot 010021, People’s Republic of China) ,  Bu Xiangtian (School of Physical Science and Technology, Inner Mongolia University, Hohhot 010021, People’s Republic of China) ,  Wang Shudong (School of Physical Science and Technology, Inner Mongolia University, Hohhot 010021, People’s Republic of China) ,  Zhao Guojun (School of Physical Science and Technology, Inner Mongolia University, Hohhot 010021, People’s Republic of China)
資料名： New Journal of Physics (Web)  (New Journal of Physics (Web))
巻： 21  号： 11  ページ： 113040 (6pp)  発行年： 2019年 
JST資料番号： U7017A  ISSN： 1367-2630  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単分子層Janus MoSSeにおけるElectron-フォノン(e-ph)相互作用をab initio法を用いて調べた。MoSSeにおける非対称構造誘起正味双極子モーメントは,対称MoS_2と比較して,増強されたe-ph相互作用を導入することを見出した。モード分解散乱解析を通して,全e-ph散乱速度に寄与するMoSSeにおける面外光学モードがMoS_2よりはるかに大きいことを実証した。バンド端の周りで,ジグザグ(ZZ)方向に沿った電子と正孔の最大平均自由行程(MFPs)はMoSSeで4nmであることが分かった。一方,アームチェア方向に沿ったMFPsはZZ方向に沿ったよりも著しく短く,MoSSeにおける高度に異方的な輸送特性を意味した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 正孔 ,  対称性 ,  折れ線 ,  ab initio法 ,  双極子モーメント ,  相互作用 ,  光学モード ,  *散乱 ,  *フォノン ,  単分子層 ,  平均自由行程
準シソーラス用語： 輸送特性 ,  バンド端 ,  散乱速度 ,  非対称構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

タイトルに関連する用語 (3件)： コケ ,  増強 ,  電子-フォノン散乱